井上 靖朗 | (株)ルネサステクノロジ

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概要

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• 井上 靖朗

  (株)ルネサステクノロジ

• 井上 靖朗

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 井上 靖朗

  三菱電機(株)

• 石川 清志

  株式会社ルネサステクノロジ

• 永久 克巳

  (株)ルネサステクノロジ

• 谷沢 元昭

  ルネサステクノロジ株式会社

• 谷沢 元昭

  (株)ルネサステクノロジ

• 内田 哲也

  (株)ルネサステクノロジ

• 西村 正

  三菱電機 (株) Ulsi技術開発センター

• 西村 正

  三菱電機株式会社ulsi技術開発センター

• 山口 泰男

  三菱電機(株)ulsi技術開発センター

• 山口 泰男

  株式会社ルネサステクノロジ

• 園田 賢一郎

  株式会社ルネサステクノロジ

• 尾田 秀一

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 土屋 修

  株式会社ルネサステクノロジ

• 西村 正

  三菱電機 Ulsi開セ

• 石川 清志

  三菱電機(株)ULSI開発研究所

• 一法師 隆志

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 犬石 昌秀

  株式会社ルネサステクノロジ 先端デバイス開発部

• 犬石 昌秀

  株式会社ルネサステクノロジ

• 岩松 俊明

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 佐山 弘和

  三菱電機ulsi技術開発センター

• 井上 靖朗

  株式会社ルネサステクノロジ

• 岡垣 健

  (株)ルネサステクノロジ

• 岩松 俊明

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 林 岳

  (株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部

• 林 岳

  (株)ルネサステクノロジ

• 岩松 俊明

  三菱電機(株)

• 山口 泰男

  三菱電機(株)

• 一法師 隆志

  三菱電機(株)

• 西村 正

  三菱電機(株)

• 西村 正

  三菱電機ULSI開発研究所

• 牧野 博之

  (株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部

• 太田 和伸

  ソニー株式会社

• 牧野 博之

  ルネサステクノロジ

• 岩出 秀平

  大阪工業大学情報科学部コンピュータ科学科

• 高篠 裕行

  (株)ルネサステクノロジ

• 佃 栄次

  (株)ルネサステクノロジ

• 若原 祥史

  (株)ルネサステクノロジ

• 石川 清志

  (株)ルネサステクノロジ

• 前川 繁登

  三菱電機(株)LSI研究所

• 犬石 昌秀

  三菱電機(株)

• 宮本 昭一

  三菱電機(株)

• 佐山 弘和

  三菱電機(株)ULSI開発研究所

• 谷沢 元昭

  三菱電機(株)ULSI開発研究所

• 山口 泰男

  三菱電機(株)ulsi開発研究所

• 宮本 昭一

  三菱電機(株) Ulsi開発研究所

• 黒井 隆

  Ulsi技術開発センター

• 前川 繁登

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 新居 浩二

  ルネサステクノロジー

• 国清 辰也

  三菱電機(株)ULSI技術開発センター

• 小谷 教彦

  広島国際大学 社会環境科学部

• 永久 克巳

  三菱電機(株)ULSI技術開発センター

• 小谷 教彦

  広島国際大学社会環境科学部

• 小谷 教彦

  広島国際大 社会環境科学

• 小倉 卓

  (株)genusion

• 酒井 敦

  株式会社ルネサステクノロジ

• 荒木 康弘

  株式会社ルネサステクノロジ

• 鎌倉 良成

  大阪大学工学部

• 谷口 研二

  大阪大学工学部

• 土屋 修

  ルネサステクノロジ

• 土屋 修

  (株)ルネサステクノロジ

• 平野 有一

  三菱電機(株)

• 前田 茂伸

  三菱電機(株)

• 新居 浩二

  三菱電機(株)

• 黒井 隆

  三菱電機(株)

• 赤坂 洋一

  三菱電機LSI研究所

• 園田 賢一郎

  三菱電機(株)ULSI開発研究所

• 前田 茂伸

  三菱電機株式会社ULSI技術開発センター

• 熊本 敏夫

  株式会社ルネサステクノロジ

• 堀田 勝之

  Ulsi技術開発センター

• 平野 有一

  (株)ルネサステクノロジ

• 伊藤 康悦

  ULSI技術開発センター

• 山下 朋弘

  (株)ルネサステクノロジ

• 熊本 敏夫

  ルネサステクノロジ

• 園田 賢一郎

  三菱電機(株)

• 森本 博明

  三菱電機ULSI技術開発センター

• 佃 栄次

  ルネサステクノロジ株式会社

• 高篠 裕行

  ルネサステクノロジ株式会社

• 岡垣 健

  ルネサステクノロジ株式会社

• 内田 哲也

  ルネサステクノロジ株式会社

• 林 岳

  ルネサステクノロジ株式会社

• 永久 克己

  ルネサステクノロジ株式会社

• 若原 祥史

  ルネサステクノロジ株式会社

• 石川 清志

  ルネサステクノロジ株式会社

• 井上 靖朗

  ルネサステクノロジ株式会社

• 河野 浩之

  三菱電機(株)システムlsi事業統括部

• 西出 征男

  三菱電機株式会社 ULSI技術開発センター

• 井上 靖朗

  三菱電機株式会社 ULSI技術開発センター

• 鎌倉 良成

  大阪大学大学院工学研究科

• 太田 和伸

  三菱電機(株)ULSI技術開発センター

• 谷沢 元昭

  株式会社ルネサステクノロジ

• 清水 悟

  株式会社ルネサステクノロジ

• 河井 伸治

  株式会社ルネサステクノロジ

• 小倉 卓

  株式会社ルネサステクノロジ

• 小林 真一

  株式会社ルネサステクノロジ

• 熊本 敏夫

  三菱電機(株)システムLSI開発研究所

• 西田 征男

  (株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部

• 塚本 康正

  株式会社ルネサステクノロジ

• 牧野 博之

  大阪工業大学情報科学部コンピュータ科学科

• 茂庭 昌弘

  (株)ルネサステクノロジ

• 岩出 秀平

  大阪工業大学情報科学部

• 岩出 秀平

  三菱電機(株)システムlsi開発研究所

• 岩出 秀平

  大阪工業大学

• 熊本 敏夫

  三菱電機(株)システムlsi事業統括部

• 永久 克己

  (株)ルネサステクノロジ

• 茂庭 昌弘

  半導体理工学研究センター

• 塚本 康正

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 平野 有一

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 新居 浩二

  ルネサステクノロジ

• 谷口 研二

  大阪大

• Taniguchi K

  Osaka Univ. Osaka Jpn

• Taniguchi K

  Department Of Electronic Engineering Faculty Of Engineering Osaka University

• 赤坂 洋一

  三菱電機

• 谷口 研二

  大阪大学大学院工学研究科

• 木村 紳一郎

  (株)日立製作所中央研究所

• 佐藤 真一

  兵庫県立大学大学院工学研究科

• 山本 和也

  三菱電機株式会社

• 杉井 信之

  (株)日立製作所中央研究所

• 上野 修一

  (株)ルネサステクノロジ

• 清水 雅裕

  (株)ルネサステクノロジ

• 塩沢 勝臣

  三菱電機株式会社先端技術総合研究所

• 上田 公大

  三菱電機(株) システムLSI研究所

• 三好 寛和

  三菱電機(株) Ulsi開発研究所

• 松本 拓治

  三菱電機(株)

• 堀田 勝之

  三菱電機(株)

• 内田 哲也

  三菱電機(株)

• 伊藤 康悦

  三菱電機(株)

• 金 逸中

  三菱電機(株)

• 新井 浩二

  三菱電機(株)

• 益子 耕一郎

  三菱電機(株)

• 清水 悟

  三菱電機(株)ULSI開発研究所

• 栄森 貴尚

  三菱電機ULSI開発研究所

• 山口 泰男

  三菱電機株式会社 LSI 研究所

• 須賀原 和之

  三菱電機LSI研究所

• 山口 泰男

  三菱電機LSI研究所

• 楠 茂

  三菱電機LSI研究所

• 井上 靖朗

  三菱電機LSI研究所

• 中屋 雅夫

  三菱電機LSI研究所

• 西村 正

  三菱電機LSI研究所

• 益子 耕一郎

  三菱電機株式会社システムlsi事業化推進センター

• 松本 拓治

  三菱電機株式会社ULSI技術開発センター

• 犬石 昌秀

  三菱電機株式会社ULSI技術開発センター

• 上田 公大

  三菱電機株式会社

• 徳田 安紀

  三菱電機(株)先端技術総合研究所

• 塩沢 勝臣

  三菱電機(株)先端技術総合研究所

• 梅田 浩司

  ULSI技術開発センター

• 内田 哲也

  ULSI技術開発センター

• 後藤 欣哉

  ULSI技術開発センター

• 井上 靖朗

  ULSI技術開発センター

• 佐藤 真一

  三菱電機(株)先端技術総合研究所

• 犬石 昌秀

  ULSI技術開発センター

• 清水 悟

  三菱電機ULSI開発研究所

• 川崎 洋司

  (株)ルネサステクノロジ

• 遠藤 誠一

  (株)ルネサステクノロジ

• 丸山 祥輝

  (株)ルネサステクノロジ

• 山下 朋弘

  株式会社ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部

• 西田 征男

  株式会社ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部

• 尾田 秀一

  株式会社ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部

• 栄森 貴尚

  三菱電機ulsi技術開発センター

• 楠 茂

  三菱電機株式会社ulsi開発研究所

• 塩沢 勝臣

  三菱電機(株)

• 黒岩 丈晴

  三菱電機(株)

• 太田 和伸

  三菱電機ULSI技術開発センター

• 杉原 浩平

  三菱電機ULSI技術開発センター

• 内田 哲也

  三菱電機ULSI技術開発センター

• 尾田 秀一

  三菱電機ULSI技術開発センター

• 井上 靖朗

  三菱電機ULSI技術開発センター

• 尾田 秀一

  三菱電機株式会社ulsi開発研究所

• 佐山 弘和

  三菱電機株式会社 ULSI技術開発センター

• 太田 一伸

  三菱電機株式会社 ULSI技術開発センター

• 片山 実紀

  三菱電機株式会社 ULSI技術開発センター

• 森本 博明

  三菱電機株式会社 ULSI技術開発センター

• 芝原 健太郎

  広島大学ナノデバイス・システム研究センター

• 山岡 雅直

  日立製作所・中央研究所

• 岡垣 健

  三菱電機(株)ULSI技術開発センター

• 網城 啓之

  三菱電機(株)メモリー事業統括部

• 山本 和也

  三菱電機システムLSI事業統括センター

• 加藤 隆幸

  三菱電機高周波光素子事業統括部

• 尾田 秀一

  三菱電機(株)ULSI技術開発センター

• 伊藤 清男

  (株)日立製作所中央研究所

• 伊藤 清男

  株式会社日立製作所中央研究所

• 谷口 研二

  大阪大学大学院工学研究科高度人材育成センター:大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻

• 土屋 龍太

  日立製作所中央研究所

• 森田 祐介

  日立製作所中央研究所

• 木村 紳一郎

  日立製作所中央研究所

• 石垣 隆士

  (株)日立製作所中央研究所

• 梅田 浩司

  (株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部

• 山下 朋弘

  ルネサステクノロジ

• 山岡 雅直

  (株)日立製作所 中央研究所

• 土屋 龍太

  (株)日立製作所中央研究所

• 森田 祐介

  (株)日立製作所中央研究所

• 土屋 龍太

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 須賀原 和之

  三菱電機 Ulsi開研

• 加藤 隆幸

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 後藤 欣哉

  株式会社ルネサステクノロジ

• 新居 浩二

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 清水 昭博

  株式会社ルネサステクノロジ

• 芝原 健太郎

  広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所:広島大学大学院先端物質科学研究科

• 徳田 安紀

  三菱電機 先端技術総合研

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著作論文

• 256MビットDRAM以降対応のシャロートレンチ分離のストレス解析
• フィールドシールドアイソレーション技術を用いた0.35μm大規模SOIゲートアレー
• 水素化処理によるSOI寄生MOSFETの低しきい値電圧化の抑制
• 低電圧対応WポリサイドデュアルゲートCMOS
• 画像信号処理の基本機能を有する三次元構造デバイス : "画像変換装置"合同研究会 : 電子装置 : 画像表示
• レ-ザ-再結晶化法によるSOI
• 内壁酸化およびゲート酸化にランプ酸化法を用いたシャロートレンチ分離による逆ナローチャネル効果の抑制
• 局所歪みチャネル技術による高駆動能力55nmCMOSの作製
• 65nmノード歪みpMOSFETのホール伝導における全応力の効果の検証(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 高信頼性と高性能を両立するシステムオンチップ対応CMOS
• CBCM法を用いたゲート絶縁膜の容量測定
• デュアルオフセット構造を有する135GHzf_SOI MOSFETの高周波アナログ混載技術
• ゲート電流の基板バイアス依存性を考慮したフラッシュメモリセルのコンパクトモデル(プロセス・デバイス・回路・シミュレーション及び一般)
• ゲート電流の基板バイアス依存性を考慮したフラッシュメモリセルのコンパクトモデル(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• チャネルnMOS移動度のストレスライナー膜による影響(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 電流磁場書き込みMRAM技術
• インバータ速度制御、低Vthバラツキを可能にする薄膜BOX-SOIデュアル・バックバイアス制御技術(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 三次元デバイスシミュレーションを用いたSOI MOSFETにおける寄生MOSFETの解析
• SOIデバイスの研究開発動向
• LSAとSpike-RTAの組み合わせによる極浅接合形成技術(プロセス科学と新プロセス技術)
• 65nmノード歪みpMOSFETのホール伝導における全応力の効果の検証(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• チャネルnMOS移動度のストレスライナー膜による影響(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• MOSFETフリッカ雑音のばらつきのバイアス依存性
• MOSFETフリッカ雑音のばらつきのバイアス依存性
• High-k/メタルゲートMOSFETのしきい値電圧の温度依存性(シリコン関連材料の作製と評価)
• 相変化メモリのリセット特性のモデリング(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 相変化メモリのリセット特性のモデリング(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 90nmテクノロジーノードによる銅配線形状の非破壊インバース・モデリング(プロセス・デバイス・回路・シミュレーション及び一般)
• 90nmテクノロジーノードによる銅配線形状の非破壊インバース・モデリング(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 3次元配線容量シミュレーションに基づいたサブ100mm世代eSRAMのスケーリングの検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 3次元配線容量シミュレーションに基づいたサブ100nm世代eSRAMのスケーリングの検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 方向のチャネルをもつ高性能微細MOSFET
• 歪みシリコン技術とSOI MOSFET (特集 半導体製造工程を変革する新プロセス技術) -- (最新トピックス1 新プロセス/新材料の導入)

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