一法師 隆志 | 三菱電機(株)
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概要
関連著者
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山口 泰男
三菱電機(株)
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一法師 隆志
三菱電機(株)
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山口 泰男
三菱電機(株)ulsi技術開発センター
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山口 泰男
株式会社ルネサステクノロジ
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一法師 隆志
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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前川 繁登
三菱電機(株)LSI研究所
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岩松 俊明
三菱電機(株)
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山口 泰男
三菱電機(株)ulsi開発研究所
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岩松 俊明
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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前川 繁登
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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岩松 俊明
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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西村 正
三菱電機 (株) Ulsi技術開発センター
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西村 正
三菱電機株式会社ulsi技術開発センター
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平野 有一
三菱電機(株)
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前田 茂伸
三菱電機(株)
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西村 正
三菱電機(株)
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井上 靖朗
三菱電機(株)
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西村 正
三菱電機ULSI開発研究所
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前田 茂伸
三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
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平野 有一
(株)ルネサステクノロジ
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井上 靖朗
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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井上 靖朗
(株)ルネサステクノロジ
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平野 有一
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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西村 正
三菱電機 Ulsi開セ
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西村 正
三菱電機株式会社 Lsi 研究所
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前田 茂伸
Ulsi開発センター
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宮本 昭一
三菱電機(株)
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宮本 昭一
三菱電機(株) Ulsi開発研究所
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前川 繁登
(株)ルネサステクノロジ
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松本 拓治
三菱電機(株)
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犬石 昌秀
三菱電機(株)
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松本 拓治
三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
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犬石 昌秀
株式会社ルネサステクノロジ 先端デバイス開発部
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犬石 昌秀
株式会社ルネサステクノロジ
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新居 浩二
ルネサステクノロジー
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山本 和也
三菱電機株式会社
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上田 公大
三菱電機(株) システムLSI研究所
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川島 光
三菱電機(株)ULSI研究所LSIプロセス開発第4部
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三好 寛和
三菱電機(株) Ulsi開発研究所
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新居 浩二
三菱電機(株)
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平野 有-
三菱電機(株)
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和田 佳樹
三菱電機(株)
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金 逸中
三菱電機(株)
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新井 浩二
三菱電機(株)
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益子 耕一郎
三菱電機(株)
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佐山 弘和
三菱電機(株)ULSI開発研究所
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益子 耕一郎
三菱電機株式会社システムlsi事業化推進センター
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上田 公大
三菱電機株式会社
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川島 光
株式会社ルネサステクノロジ
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佐山 弘和
三菱電機ulsi技術開発センター
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尾田 秀一
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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太田 和伸
ソニー株式会社
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太田 和伸
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
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永久 克巳
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
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山本 和也
三菱電機システムLSI事業統括センター
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加藤 隆幸
三菱電機高周波光素子事業統括部
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尾田 秀一
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
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永久 克巳
(株)ルネサステクノロジ
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加藤 隆幸
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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新居 浩二
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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新居 浩二
ルネサステクノロジ
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永久 克己
株式会社ルネサステクノロジ
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新井 浩二
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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加藤 隆幸
三菱電機
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佐山 弘和
三菱電機(株)
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三好 寛和
三菱電機(株)
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和田 佳樹
三菱電機(株)システムLSI開発研究所
著作論文
- パーシャルトレンチ分離構造を用いたバルクレイアウト互換0.18μm SOI CMOS技術
- フィールドシールド分離SOI MOSFETにおける放射線耐性の解析
- フィールドシールドアイソレーション技術を用いた0.35μm大規模SOIゲートアレー
- 水素化処理によるSOI寄生MOSFETの低しきい値電圧化の抑制
- デュアルオフセット構造を有する135GHzf_SOI MOSFETの高周波アナログ混載技術
- SOI MOS トラジスタの問題点と高性能化
- 三次元デバイスシミュレーションを用いたSOI MOSFETにおける寄生MOSFETの解析