西村 正 | 三菱電機株式会社ulsi技術開発センター

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概要

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関連著者

• 西村 正

  三菱電機株式会社ulsi技術開発センター

• 西村 正

  三菱電機 (株) Ulsi技術開発センター

• 西村 正

  三菱電機 Ulsi開セ

• 西村 正

  三菱電機ULSI開発研究所

• 西村 正

  三菱電機株式会社 Lsi 研究所

• 西村 正

  三菱電機(株)

• 石川 清志

  ルネサステクノロジ

• 谷沢 元昭

  ルネサステクノロジ株式会社

• 谷沢 元昭

  (株)ルネサステクノロジ

• 山口 泰男

  三菱電機(株)ulsi開発研究所

• 山口 泰男

  三菱電機(株)ulsi技術開発センター

• 山口 泰男

  株式会社ルネサステクノロジ

• 井上 靖朗

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 井上 靖朗

  (株)ルネサステクノロジ

• 石川 清志

  三菱電機(株)ULSI開発研究所

• 前川 繁登

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 石川 清志

  三菱電機(株)ulsi技術開発センター

• 谷沢 元昭

  三菱電機株式会社ULSI開発研究所

• 前川 繁登

  三菱電機(株)LSI研究所

• 平野 有一

  三菱電機(株)

• 岩松 俊明

  三菱電機(株)

• 山口 泰男

  三菱電機(株)

• 一法師 隆志

  三菱電機(株)

• 井上 靖朗

  三菱電機(株)

• 赤坂 洋一

  三菱電機LSI研究所

• 木寺 真琴

  三菱電機株式会社ULSI技術開発センター

• 石川 清志

  三菱電機株式会社ULSI技術開発センター

• 和智 勇治

  三菱電機(株)ULSI開発研究所

• 谷沢 元昭

  三菱電機(株)ULSI開発研究所

• 前田 茂伸

  三菱電機株式会社ULSI技術開発センター

• 一法師 隆志

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 平野 有一

  (株)ルネサステクノロジ

• 岩松 俊明

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 平野 有一

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 岩松 俊明

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 赤坂 洋一

  三菱電機

• 前田 茂伸

  Ulsi開発センター

• 前田 茂伸

  三菱電機(株)

• 山口 泰男

  三菱電機 Ulsi開研

• 黒井 隆

  三菱電機(株)

• 宮本 昭一

  三菱電機(株)

• 佐山 弘和

  三菱電機(株)ULSI開発研究所

• 園田 賢一郎

  三菱電機(株)ULSI開発研究所

• 佐山 弘和

  大阪大学基礎工学部

• 大野 吉和

  三菱電機 ULSI開発研究所

• 油谷 明栄

  三菱電機 Ulsi技開セ

• 奥平 智仁

  三菱電機(株)

• 油谷 明栄

  三菱電機(株)

• 柏原 慶一朗

  三菱電機(株)

• 常峰 美和

  三菱電機(株)

• 伊藤 博巳

  三菱電機(株)

• 藤田 靖

  菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング

• 松本 拓治

  三菱電機株式会社ULSI技術開発センター

• 宮本 昭一

  三菱電機(株) Ulsi開発研究所

• 黒井 隆

  Ulsi技術開発センター

• 犬石 昌秀

  株式会社ルネサステクノロジ 先端デバイス開発部

• 犬石 昌秀

  株式会社ルネサステクノロジ

• 新居 浩二

  ルネサステクノロジー

• 藤田 靖

  菱電セミコンダクターエンジニアリング

• 園田 賢一郎

  三菱電機(株)

• 柏原 慶一朗

  (株)ルネサステクノロジ

• 奥平 智仁

  (株)ルネサステクノロジ

• 須賀原 和之

  三菱電機 Ulsi開研

• 佐山 弘和

  三菱電機(株)

• 前川 繁登

  (株)ルネサステクノロジ

• 高井 幹夫

  大阪大学極限量子科学研究センター

• 有本 和民

  三菱電機ulsi開発研究所

• 中川 直紀

  (株)アドバンスト・ディスプレイ

• 内田 哲也

  (株)ルネサステクノロジ

• 上田 公大

  三菱電機(株) システムLSI研究所

• 松本 隆夫

  三菱電機

• 川島 光

  三菱電機(株)ULSI研究所LSIプロセス開発第4部

• 松本 拓治

  三菱電機 (株) ULSI技術開発センター

• 前田 茂伸

  三菱電機 (株) ULSI技術開発センター

• 平野 有一

  三菱電機 (株) ULSI技術開発センター

• 山口 泰男

  三菱電機 (株) ULSI技術開発センター

• 前川 繁登

  三菱電機 (株) ULSI技術開発センター

• 犬石 昌秀

  三菱電機 (株) ULSI技術開発センター

• 松本 拓治

  三菱電機(株)

• 新居 浩二

  三菱電機(株)

• 犬石 昌秀

  三菱電機(株)

• 平野 有-

  三菱電機(株)

• 和田 佳樹

  三菱電機(株)

• 堀田 勝之

  三菱電機(株)

• 内田 哲也

  三菱電機(株)

• 伊藤 康悦

  三菱電機(株)

• 金 逸中

  三菱電機(株)

• 新井 浩二

  三菱電機(株)

• 益子 耕一郎

  三菱電機(株)

• 清水 悟

  三菱電機(株)ULSI開発研究所

• 須磨 克博

  三菱電機ULSI開発研究所

• 鶴田 孝弘

  三菱電機ULSI開発研究所

• 森下 玄

  三菱電機ULSI開発研究所

• 日高 秀人

  三菱電機ULSI開発研究所

• 広瀬 正和

  大王電機

• 山口 泰男

  三菱電機ULSI開発研究所

• 栄森 貴尚

  三菱電機ULSI開発研究所

• 藤島 一康

  三菱電機北伊丹製作所

• 山口 泰男

  三菱電機株式会社 LSI 研究所

• 塚本 克博

  三菱電機株式会社 LSI 研究所

• 中井 哲弥

  三菱マテリアル株式会社中央研究所

• 新屋敷 浩

  三菱マテリアル株式会社中央研究所

• 新行内 隆之

  三菱マテリアル株式会社中央研究所

• 須賀原 和之

  三菱電機LSI研究所

• 山口 泰男

  三菱電機LSI研究所

• 楠 茂

  三菱電機LSI研究所

• 井上 靖朗

  三菱電機LSI研究所

• 中屋 雅夫

  三菱電機LSI研究所

• 西村 正

  三菱電機LSI研究所

• 永久 克己

  三菱電機(株)ULSI開発研究所

• 山口 偉人

  (株)アドバンスト・ディスプレイ

• 岸本 武久

  大阪大学

• 大野 良和

  三菱電機(株)

• 大野 吉和

  三菱電機ULSI開発研究所

• 木村 広嗣

  三菱電機ULSI開発研究所

• 原 成憲

  大阪大学基礎工学部

• 高井 幹夫

  大阪大学基礎工学部

• 益子 耕一郎

  三菱電機株式会社システムlsi事業化推進センター

• 堀田 勝之

  Ulsi技術開発センター

• 上田 公大

  三菱電機株式会社

• 川島 光

  株式会社ルネサステクノロジ

• 伊藤 康悦

  ULSI技術開発センター

• 清水 悟

  三菱電機ULSI開発研究所

• 栄森 貴尚

  三菱電機ulsi技術開発センター

• 広瀬 正和

  大王電機株式会社

• 鶴田 孝弘

  三菱電機(株)ulsi開発研究所

• 佐山 弘和

  三菱電機ulsi技術開発センター

• 藤島 一康

  三菱電機システムlsi事業化推進センター

• 楠 茂

  三菱電機株式会社ulsi開発研究所

• 園田 賢一郎

  株式会社ルネサステクノロジ

• 森下 玄

  (株)ルネサステクノロジシステムコア技術統括部

• 石川 清志

  株式会社ルネサステクノロジ

• 高井 幹夫

  大阪大学 極限科学研究センター

• 永久 克巳

  (株)ルネサステクノロジ

• 西村 正

  三菱電機 Ulsi技開セ

• 新居 浩二

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 新居 浩二

  ルネサステクノロジ

• 永久 克己

  株式会社ルネサステクノロジ

• 石津 顕

  三菱電機

• 新屋敷 浩

  三菱マテリアルシリコン(株)開発センター

• 石津 顕

  三菱電機(株)tft開発・事業化推進室

• 中井 哲弥

  三菱住友シリコン(株)

• 中井 哲弥

  三菱マテリアルシリコン株式会社技術本部

• 新井 浩二

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 新行内 隆之

  三菱マテリアル(株)中央研究所

• 西村 正

  三菱電機(株)ulsi開発研究所

• 和田 佳樹

  三菱電機(株)システムLSI開発研究所

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著作論文

• ボディ浮遊SOI MOSトランジスタの電流駆動能力低下メカニズムとその改善構造
• パーシャルトレンチ分離構造を用いたバルクレイアウト互換0.18μm SOI CMOS技術
• フィールドシールド分離SOI MOSFETにおける放射線耐性の解析
• 256MビットDRAM以降対応のシャロートレンチ分離のストレス解析
• フィールドシールドアイソレーション技術を用いた0.35μm大規模SOIゲートアレー
• 水素化処理によるSOI寄生MOSFETの低しきい値電圧化の抑制
• 低電圧対応WポリサイドデュアルゲートCMOS
• CMOS/SIMOX技術を用いた動作電圧範囲の広いSOI-DRAM
• 酸素イオン注入 Si 層の結晶性回復と向上 - SIMOX の結晶性向上 -
• 画像信号処理の基本機能を有する三次元構造デバイス : "画像変換装置"合同研究会 : 電子装置 : 画像表示
• レ-ザ-再結晶化法によるSOI
• 3層構造三次元回路素子
• TCADを用いた実効チャネル長抽出法の有効性の検討
• マクロモデルを用いた回路シミュレーション高速化
• コンタクト特性を考慮したa-Si:H TFTの電気的特性の解析
• イオンマイクロプローブを用いたDRAMのソフトエラー感応領域および高耐性構造の評価
• マイクロプローブによるDRAMソフトエラーの評価
• BSTキャパシタに対するポストアニールの影響
• 電極構造が高誘電体キャパシタの電気的特性に与える影響
• TCADを用いた実効チャネル長抽出法の有効性の検討
• TCADを用いた実効チャネル長抽出法の有効性の検討
• TCADを用いた実効チャネル長抽出法の有効性の検討
• マクロモデルを用いた回路シミュレーション高速化
• マクロモデルを用いた回路シミュレーション高速化
• マクロモデルを用いた回路シミュレーション高速化
• 2)石英基板上のポリシリコン薄膜トランジスタアレイ(画像表示研究会(第75回))

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