西村 正 | 三菱電機(株)

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概要

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関連著者

• 西村 正

  三菱電機(株)

• 西村 正

  三菱電機株式会社ulsi技術開発センター

• 西村 正

  三菱電機 Ulsi開セ

• 西村 正

  三菱電機 (株) Ulsi技術開発センター

• 西村 正

  三菱電機ULSI開発研究所

• 西村 正

  三菱電機株式会社 Lsi 研究所

• 石川 清志

  三菱電機(株)ULSI開発研究所

• 石川 清志

  ルネサステクノロジ

• 石川 清志

  三菱電機(株)ulsi技術開発センター

• 前川 繁登

  三菱電機(株)LSI研究所

• 岩松 俊明

  三菱電機(株)

• 山口 泰男

  三菱電機(株)

• 一法師 隆志

  三菱電機(株)

• 井上 靖朗

  三菱電機(株)

• 和智 勇治

  三菱電機(株)ULSI開発研究所

• 谷沢 元昭

  三菱電機(株)ULSI開発研究所

• 山口 泰男

  三菱電機(株)ulsi技術開発センター

• 山口 泰男

  株式会社ルネサステクノロジ

• 山口 泰男

  三菱電機(株)ulsi開発研究所

• 一法師 隆志

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 岩松 俊明

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 前川 繁登

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 井上 靖朗

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 井上 靖朗

  (株)ルネサステクノロジ

• 谷沢 元昭

  ルネサステクノロジ株式会社

• 谷沢 元昭

  (株)ルネサステクノロジ

• 岩松 俊明

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 平野 有一

  三菱電機(株)

• 前田 茂伸

  三菱電機(株)

• 前田 茂伸

  三菱電機株式会社ULSI技術開発センター

• 平野 有一

  (株)ルネサステクノロジ

• 平野 有一

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 前田 茂伸

  Ulsi開発センター

• 松本 隆夫

  三菱電機

• 黒井 隆

  三菱電機(株)

• 宮本 昭一

  三菱電機(株)

• 佐山 弘和

  三菱電機(株)ULSI開発研究所

• 赤坂 洋一

  三菱電機LSI研究所

• 園田 賢一郎

  三菱電機(株)ULSI開発研究所

• 油谷 明栄

  三菱電機 Ulsi技開セ

• 奥平 智仁

  三菱電機(株)

• 油谷 明栄

  三菱電機(株)

• 柏原 慶一朗

  三菱電機(株)

• 常峰 美和

  三菱電機(株)

• 伊藤 博巳

  三菱電機(株)

• 藤田 靖

  菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング

• 宮本 昭一

  三菱電機(株) Ulsi開発研究所

• 黒井 隆

  Ulsi技術開発センター

• 新居 浩二

  ルネサステクノロジー

• 藤田 靖

  菱電セミコンダクターエンジニアリング

• 園田 賢一郎

  三菱電機(株)

• 柏原 慶一朗

  (株)ルネサステクノロジ

• 奥平 智仁

  (株)ルネサステクノロジ

• 赤坂 洋一

  三菱電機

• 石津 顕

  三菱電機

• 石津 顕

  三菱電機(株)tft開発・事業化推進室

• 佐山 弘和

  三菱電機(株)

• 高井 幹夫

  大阪大学極限量子科学研究センター

• 中川 直紀

  (株)アドバンスト・ディスプレイ

• 内田 哲也

  (株)ルネサステクノロジ

• 上田 公大

  三菱電機(株) システムLSI研究所

• 川島 光

  三菱電機(株)ULSI研究所LSIプロセス開発第4部

• 松本 拓治

  三菱電機(株)

• 新居 浩二

  三菱電機(株)

• 犬石 昌秀

  三菱電機(株)

• 平野 有-

  三菱電機(株)

• 和田 佳樹

  三菱電機(株)

• 堀田 勝之

  三菱電機(株)

• 内田 哲也

  三菱電機(株)

• 伊藤 康悦

  三菱電機(株)

• 金 逸中

  三菱電機(株)

• 新井 浩二

  三菱電機(株)

• 益子 耕一郎

  三菱電機(株)

• 清水 悟

  三菱電機(株)ULSI開発研究所

• 永久 克己

  三菱電機(株)ULSI開発研究所

• 山口 偉人

  (株)アドバンスト・ディスプレイ

• 岸本 武久

  大阪大学

• 大野 良和

  三菱電機(株)

• 佐山 弘和

  大阪大学基礎工学部

• 大野 吉和

  三菱電機 ULSI開発研究所

• 益子 耕一郎

  三菱電機株式会社システムlsi事業化推進センター

• 松本 拓治

  三菱電機株式会社ULSI技術開発センター

• 堀田 勝之

  Ulsi技術開発センター

• 上田 公大

  三菱電機株式会社

• 犬石 昌秀

  株式会社ルネサステクノロジ 先端デバイス開発部

• 犬石 昌秀

  株式会社ルネサステクノロジ

• 川島 光

  株式会社ルネサステクノロジ

• 伊藤 康悦

  ULSI技術開発センター

• 清水 悟

  三菱電機ULSI開発研究所

• 佐山 弘和

  三菱電機ulsi技術開発センター

• 園田 賢一郎

  株式会社ルネサステクノロジ

• 石川 清志

  株式会社ルネサステクノロジ

• 高井 幹夫

  大阪大学 極限科学研究センター

• 永久 克巳

  (株)ルネサステクノロジ

• 佃 栄次

  三菱電機(株)ULSI開発研究所

• 藤永 正人

  三菱電機(株)ULSI開発研究所

• 新居 浩二

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 新居 浩二

  ルネサステクノロジ

• 赤坂 洋一

  三菱電機(株)LSI研究所

• 松本 隆夫

  三菱電機(株)材科研究所

• 永久 克己

  株式会社ルネサステクノロジ

• 石津 顕

  三菱電機(株)材料研究所

• 新井 浩二

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 西村 正

  三菱電機(株)ulsi開発研究所

• 和田 佳樹

  三菱電機(株)システムLSI開発研究所

• 前川 繁登

  (株)ルネサステクノロジ

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著作論文

• パーシャルトレンチ分離構造を用いたバルクレイアウト互換0.18μm SOI CMOS技術
• フィールドシールド分離SOI MOSFETにおける放射線耐性の解析
• 256MビットDRAM以降対応のシャロートレンチ分離のストレス解析
• フィールドシールドアイソレーション技術を用いた0.35μm大規模SOIゲートアレー
• 水素化処理によるSOI寄生MOSFETの低しきい値電圧化の抑制
• 低電圧対応WポリサイドデュアルゲートCMOS
• マクロモデルを用いた回路シミュレーション高速化
• コンタクト特性を考慮したa-Si:H TFTの電気的特性の解析
• イオンマイクロプローブを用いたDRAMのソフトエラー感応領域および高耐性構造の評価
• BSTキャパシタに対するポストアニールの影響
• 電極構造が高誘電体キャパシタの電気的特性に与える影響
• 30p-YL-11 超解像対応対話型光学シミュレーションシステム(EVA)
• マクロモデルを用いた回路シミュレーション高速化
• マクロモデルを用いた回路シミュレーション高速化
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• 2)石英基板上のポリシリコン薄膜トランジスタアレイ(画像表示研究会(第75回))
• 石英基板上のポリシリコン薄膜トランジスタアレイ

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