平野 有一 | ルネサスエレクトロニクス株式会社
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概要
関連著者
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平野 有一
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
平野 有一
三菱電機(株)
-
平野 有一
(株)ルネサステクノロジ
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前川 繁登
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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一法師 隆志
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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岩松 俊明
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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岩松 俊明
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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前川 繁登
(株)ルネサステクノロジ
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前田 茂伸
三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
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山口 泰男
三菱電機(株)ulsi技術開発センター
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山口 泰男
株式会社ルネサステクノロジ
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山口 泰男
三菱電機(株)ulsi開発研究所
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犬石 昌秀
株式会社ルネサステクノロジ 先端デバイス開発部
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犬石 昌秀
株式会社ルネサステクノロジ
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前田 茂伸
Ulsi開発センター
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益子 耕一郎
三菱電機株式会社システムlsi事業化推進センター
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上田 公大
三菱電機株式会社
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新居 浩二
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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和田 佳樹
三菱電機(株)システムLSI開発研究所
-
西村 正
三菱電機 (株) Ulsi技術開発センター
-
西村 正
三菱電機株式会社ulsi技術開発センター
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上田 公大
三菱電機(株) システムLSI研究所
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前川 繁登
三菱電機(株)LSI研究所
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前田 茂伸
三菱電機(株)
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岩松 俊明
三菱電機(株)
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山口 泰男
三菱電機(株)
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一法師 隆志
三菱電機(株)
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和田 佳樹
三菱電機(株)
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益子 耕一郎
三菱電機(株)
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西村 正
三菱電機ULSI開発研究所
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松本 拓治
三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
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新居 浩二
ルネサステクノロジー
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塚本 康正
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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西村 正
三菱電機 Ulsi開セ
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西村 正
三菱電機株式会社 Lsi 研究所
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西村 正
三菱電機(株)
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廣田 尊則
三菱電機(株)システムLSI事業統括部
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浜野 尚徳
三菱電機(株)システムLSI事業統括部
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大路 譲
株式会社日立製作所半導体事業部
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大路 譲
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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新居 浩二
ルネサステクノロジ
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大路 譲
半導体先端テクノロジーズ(selete)
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山本 和也
三菱電機株式会社
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新居 浩二
株式会社ルネサステクノロジ
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松本 拓治
三菱電機(株)
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犬石 昌秀
三菱電機(株)
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井上 靖朗
三菱電機(株)
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井上 靖朗
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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井上 靖朗
(株)ルネサステクノロジ
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大路 譲
株式会社ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部
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塚本 康正
株式会社ルネサステクノロジ
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平野 有一
株式会社ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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一法師 隆志
株式会社ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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前川 繁登
株式会社ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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薮内 誠
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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木原 雄治
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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川島 光
三菱電機(株)ULSI研究所LSIプロセス開発第4部
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前川 繁登
三菱電機株式会社LSI研究所
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松本 拓治
三菱電機 (株) ULSI技術開発センター
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前田 茂伸
三菱電機 (株) ULSI技術開発センター
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平野 有一
三菱電機 (株) ULSI技術開発センター
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山口 泰男
三菱電機 (株) ULSI技術開発センター
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前川 繁登
三菱電機 (株) ULSI技術開発センター
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犬石 昌秀
三菱電機 (株) ULSI技術開発センター
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新居 浩二
三菱電機(株)
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平野 有-
三菱電機(株)
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金 逸中
三菱電機(株)
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宮本 昭一
三菱電機(株)
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新井 浩二
三菱電機(株)
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佐山 弘和
三菱電機(株)ULSI開発研究所
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山口 泰男
三菱電機株式会社 LSI 研究所
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和田 佳樹
三菱電機株式会社システムLSI事業化推進センター
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小柴 浩史
三菱電機株式会社システムLSI事業化推進センター
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平野 有一
三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
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岩松 俊明
三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
-
一法師 隆志
三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
-
上田 公大
三菱電機株式会社システムLSI事業化推進センター
-
犬石 昌秀
三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
-
宮本 昭一
三菱電機(株) Ulsi開発研究所
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川島 光
株式会社ルネサステクノロジ
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佐山 弘和
三菱電機ulsi技術開発センター
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尾田 秀一
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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太田 和伸
ソニー株式会社
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太田 和伸
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
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永久 克巳
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
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山本 和也
三菱電機システムLSI事業統括センター
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加藤 隆幸
三菱電機高周波光素子事業統括部
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尾田 秀一
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
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牧 幸生
ルネサステクノロジ 先端デバイス開発部
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大路 譲
(株)ルネサステクノロジ
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小紫 浩史
システムlsi事業化推進センター:三菱電機株式会社
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永久 克巳
(株)ルネサステクノロジ
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加藤 隆幸
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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山口 泰男
三菱電機 Ulsi開研
-
辻内 幹夫
(株)ルネサステクノロジ
-
池田 龍彦
(株)ルネサステクノロジ
-
小松 大士
(株)ルネサスセミコンダクタエンジニアリング
-
牧 幸生
(株)ルネサステクノロジ
-
永久 克己
株式会社ルネサステクノロジ
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前田 茂伸
三菱電機株式会社 Ulsi技術開発センター
-
新居 浩二
ルネサスエレクトロニクス
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新井 浩二
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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加藤 隆幸
三菱電機
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薮内 誠
ルネサスエレクトロニクス
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塚本 康正
ルネサスエレクトロニクス
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牧 幸生
ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
-
一法師 隆志
(株)ルネサステクノロジ
-
佐山 弘和
三菱電機(株)
著作論文
- 招待講演 回路およびデバイス工夫による極低電圧動作SRAMの実現--非対称MOSFETおよびフォワードボディーバイアス技術を用いた0.5V 100MHz PD-SOI SRAMの開発 (集積回路)
- ボディ浮遊SOI MOSトランジスタの電流駆動能力低下メカニズムとその改善構造
- パーシャルトレンチ分離構造を用いたバルクレイアウト互換0.18μm SOI CMOS技術
- フィールドシールド分離SOI MOSFETにおける放射線耐性の解析
- フィールドシールドアイソレーション技術を用いた0.35μm大規模SOIゲートアレー
- 高抵抗基板とハイブリッドトレンチ分離を用いた0.18μmSOI技術のRF/アナログ混載への応用について
- ボディバイアス可変型SOI-CMOSドライバー回路
- デュアルオフセット構造を有する135GHzf_SOI MOSFETの高周波アナログ混載技術
- ボディ電位制御技術を用いた低電圧・高速動作ABC-SOI SRAM
- ボディ電位制御技術を用いた低電圧・高速動作ABC-SOI SRAM(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- ハイブリッドトレンチ分離SOIデバイスにおけるボディ電位制御技術(半導体Si及び関連材料・評価)
- 回路およびデバイス工夫による極低電圧動作SRAMの実現 : 非対称MOSFETおよびフォワードボディーバイアス技術を用いた0.5V 100MHz PD-SOI SRAMの開発(低電力SRAM/DRAM,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- ボディバイアス可変型SOI-CMOSドライバー回路
- ボディバイアス可変型SOI-CMOSドライバー回路