一法師 隆志 | (株)ルネサステクノロジ
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概要
関連著者
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一法師 隆志
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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一法師 隆志
(株)ルネサステクノロジ
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前川 繁登
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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前川 繁登
(株)ルネサステクノロジ
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野田 英行
(株)ルネサステクノロジシステムソリューション統括本部システムコア技術統括部
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有本 和民
(株)ルネサステクノロジシステムソリューション統括本部システムコア技術統括部
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森下 玄
三菱電機ULSI開発研究所
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岩松 俊明
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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大路 譲
株式会社日立製作所半導体事業部
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行天 隆幸
(株)ルネサステクノロジシステムソリューション統括本部
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森下 玄
(株)ルネサステクノロジシステムコア技術統括部
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大路 譲
(株)ルネサステクノロジ
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堂阪 勝己
(株)ルネサステクノロジ
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大路 譲
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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岩松 俊明
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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岡本 真子
大王電機(株)
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行天 隆幸
株式会社ルネサステクノロジシステムソリューション統括本部
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大路 譲
半導体先端テクノロジーズ(selete)
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有本 和民
(株)ルネサステクノロジ システムソリューション統括本部 システムコア技術統括部
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野田 英行
(株)ルネサステクノロジ システムソリューション統括本部 システムコア技術統括部
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木村 紳一郎
(株)日立製作所中央研究所
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犬石 昌秀
株式会社ルネサステクノロジ 先端デバイス開発部
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犬石 昌秀
株式会社ルネサステクノロジ
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山岡 雅直
日立製作所・中央研究所
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秋山 悟
日立製作所・中央研究所
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石井 智之
日立
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渡部 隆夫
日立中央研究所
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堂坂 勝己
(株)ルネサステクノロジシステムコア技術統括部
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石井 智之
(株)日立製作所中央研究所
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峰 利之
(株)日立製作所中央研究所
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柳沢 一正
(株)ルネサステクノロジ
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土屋 龍太
日立製作所中央研究所
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木村 紳一郎
日立製作所中央研究所
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秋山 悟
(株)日立製作所中央研究所
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亀代 典史
(株)日立製作所中央研究所
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渡部 隆夫
(株)日立製作所中央研究所
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佐野 俊明
(株)ルネサス北日本セミコンダクタ
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伊部 英史
(株)日立製作所中央研究所
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高橋 保彦
(株)ルネサステクノロジ
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山岡 雅直
(株)日立製作所 中央研究所
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土屋 龍太
(株)日立製作所中央研究所
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犬石 昌秀
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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渡部 隆夫
日立製作所中央研究所 ソリューションlsi研究センタulsi研究部
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堂阪 勝己
(株)ルネサステクノロジ システムコア技術統括部
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山岡 雅直
日立製作所中央研究所
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山岡 雅直
(株)日立製作所中央研究所
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石井 智之
日立製作所中央研究所
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石井 智之
神奈川工科大学情報学部
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峰 利之
日立製作所中央研究所
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渡部 隆夫
(株)日立製作所 中央研究所
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渡部 隆夫
(株)日立製作所
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杉井 信之
(株)日立製作所中央研究所
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平野 有一
三菱電機(株)
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平野 有一
(株)ルネサステクノロジ
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井上 靖朗
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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井上 靖朗
(株)ルネサステクノロジ
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尾田 秀一
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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伊藤 清男
(株)日立製作所中央研究所
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伊藤 清男
株式会社日立製作所中央研究所
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河原 尊之
(株)日立製作所中央研究所
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松岡 秀行
(株)日立製作所基礎研究所
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森田 祐介
日立製作所中央研究所
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牧 幸生
ルネサステクノロジ 先端デバイス開発部
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石垣 隆士
(株)日立製作所中央研究所
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森田 祐介
(株)日立製作所中央研究所
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土屋 龍太
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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平野 有一
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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辻内 幹夫
(株)ルネサステクノロジ
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池田 龍彦
(株)ルネサステクノロジ
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小松 大士
(株)ルネサスセミコンダクタエンジニアリング
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牧 幸生
(株)ルネサステクノロジ
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堀内 勝忠
(株)日立製作所中央研究所
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松岡 秀行
日立製作所基礎研究所
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牧 幸生
ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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杉井 信之
(株)日立製作所 中央研究所
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松岡 秀行
(株)日立製作所中央研究所
著作論文
- ロジックプロセス互換型SESOメモリセルによる低ソフトエラー(0.1FIT/Mb)、高速動作(100MHz)、長リテンション(100ms)の実現(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- インバータ速度制御、低Vthバラツキを可能にする薄膜BOX-SOIデュアル・バックバイアス制御技術(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- ロジックプロセス互換型SESOメモリセルによる低ソフトエラー(0.1FIT/Mb)、高速動作(100MHz)、長リテンション(100ms)の実現(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- ハイブリッドトレンチ分離SOIデバイスにおけるボディ電位制御技術(半導体Si及び関連材料・評価)
- SOIを用いたキャパシタレス・ツイントランジスタRAM(TTRAM)(プロセッサ, DSP, 画像処理技術及び一般)
- SOIを用いたキャパシタレス・ツイントランジスタRAM (TTRAM)(プロセッサ, DSP, 画像処理技術及び一般)
- SOIを用いたキャパシタレス・ツイントランジスタRAM (TTRAM)(プロセッサ, DSP, 画像処理技術及び一般)
- SOIを用いたキャパシタレス・ツイントランジスタRAM (TTRAM)(プロセッサ, DSP, 画像処理技術及び一般)
- Wide-rangeバックバイアス制御を可能にする低電力・高性能Silicon on Thin BOXデバイス技術(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 閾値電圧制御を用いた低電圧SOICMOSデバイス技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 閾値電圧制御を用いた低電圧SOICMOSデバイス技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))