Wide-rangeバックバイアス制御を可能にする低電力・高性能Silicon on Thin BOXデバイス技術(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
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概要
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新構造であるSilicon on Thin BOXデバイスを試作し、その素子特性の評価を行った。バック・バイアス印加による素子特性制御により、20%のドレイン電流の増大と、サブスレッショルド・リーク電流(オフ・リーク電流)の1桁低減が同時に実現できる事を示し、本構造が次世代の低電力・高性能デバイス技術として有望であることを示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-01-14
著者
-
木村 紳一郎
(株)日立製作所中央研究所
-
一法師 隆志
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
-
前川 繁登
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
-
大路 譲
株式会社日立製作所半導体事業部
-
山岡 雅直
日立製作所・中央研究所
-
河原 尊之
(株)日立製作所中央研究所
-
松岡 秀行
(株)日立製作所基礎研究所
-
土屋 龍太
日立製作所中央研究所
-
木村 紳一郎
日立製作所中央研究所
-
大路 譲
(株)ルネサステクノロジ
-
山岡 雅直
(株)日立製作所 中央研究所
-
大路 譲
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
-
土屋 龍太
(株)日立製作所中央研究所
-
堀内 勝忠
(株)日立製作所中央研究所
-
山岡 雅直
日立製作所中央研究所
-
山岡 雅直
(株)日立製作所中央研究所
-
大路 譲
半導体先端テクノロジーズ(selete)
-
松岡 秀行
日立製作所基礎研究所
-
一法師 隆志
(株)ルネサステクノロジ
-
前川 繁登
(株)ルネサステクノロジ
-
松岡 秀行
(株)日立製作所中央研究所
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