ビット線クランプ方式によるフラッシュメモリ高速読出し動作の検討
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概要
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携帯機器用不揮発性メモリとしてフラッシュメモリが注目されている。フラッシュメモリでは拡散層配線を用いてコンタクト数を低減することによりメモリセル面積を小さくする方式が提案されており、高集積化に適している。しかし、高集積、大容量化に伴い、1ビット棒に接続するメモリセル数は増加し、ビット線寄生容量の増加により読出し速度が低下する。ビット線を分割しビット線寄生容量を小さくすれば、読出し速度の高速化を図ることはできるが、チップ面積の増加につながる。そこで今回、ビット線を分割せずに読出し動作の高速化を図る方式を提案したので報告する。
- 1996-03-11
著者
-
宮本 直樹
日立デバイスエンジニアリング(株)
-
佐伯 俊一
日立デバイスエンジニアリング(株)
-
木村 勝高
(株)日立製作所中央研究所
-
河原 尊之
(株)日立製作所中央研究所
-
城野 雄介
(株)日立製作所半導体事業部
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