超低電力システムLSI向け0.1V-CMOS集積回路 : 低電力回路技術の課題と対策
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概要
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サブ100nm時代には,サブスレッショルドリークやゲートトンネルリークなどのリーク電流がシステムLSIの低電力化を阻む要因となる。消費電力のトレンドからも,リーク電流が全消費電力の50%以上を占める勢いで増加し続けている事が観測される。そこで,リーク電流を削減するという観点から,各種LSI低電力化技術について効果や課題を探る。また,LSIの高機能化,システムインパッケージ化の潮流に伴いIP再利用設計が必須になると,低電力化技術も汎用化,統合化が求められるようになる。電源スイッチによるリーク電流削減方式を汎用化する技術として,IP設計対応電源スイッチシステムを紹介する。さらに,低電力技術を統合する一例として,基板バイアスと電源電圧の同時制御技術を紹介する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-08-15
著者
-
宮崎 祐行
(株)日立製作所中央研究所
-
小野 豪一
(株)日立製作所中央研究所
-
河原 尊之
(株)日立製作所中央研究所
-
菅野 雄介
(株)日立製作所 中央研究所
-
小野 豪一
日立製作所中央研究所:yrpユビキタスネットワーキング研究所
-
菅野 雄介
日立製作所中央研究所
-
清水 健央
(株)日立製作所中央研究所
-
菅野 雄介
(株)日立製作所中央研究所
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