CMOS LSIの低電圧動作向けしきい値アンバランス補正方式
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概要
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システムLSIの低電力化には、回路を低電圧で動作させることが有効である。0.5V以下の低電圧動作を実現するためには、デバイスばらつきの管理が重要となり、特にPMOSトランジスタとNMOSトランジスタのしきい値電圧の誤差を抑制するための技術が求められる。そこで、しきい値電圧の誤差を補正する基板バイアス制御方式を提案する。また、しきい値電圧誤差による影響を、LSIのリーク電流、論理回路の最低動作電圧、メモリ素子のスタティックノイズマージンについて解析した。しきい値電圧誤差を補正することにより、CMOS回路の動作電圧を0.15-0.3V低下できる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-12-13
著者
-
宮崎 祐行
(株)日立製作所中央研究所
-
小野 豪一
日立製作所中央研究所
-
宮崎 祐行
日立製作所中央研究所
-
小野 豪一
日立製作所中央研究所:yrpユビキタスネットワーキング研究所
-
宮崎 祐行
日立製作所
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