温度変化によるLSI性能ばらつきを低減するTISロック回路(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
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概要
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LSIの低電力化には低電圧動作が有効であるが、LSIの性能ばらつきが増大する。LSIの性能ばらつきを抑制する技術に基板バイアス制御があるが、その制御特性は温度に依存する。そこで、我々は温度変化によらず性能が一定となる電源電圧でLSIを動作させるTISロック回路を提案する。TISロック回路は適用前と比較してLSIの性能ばらつきを3分の1に低減できた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-08-11
著者
-
宮崎 祐行
(株)日立製作所中央研究所
-
河原 尊之
日立製作所・中央研究所
-
小野 豪一
日立製作所中央研究所
-
宮崎 祐行
日立製作所中央研究所
-
河原 尊之
(株)日立製作所中央研究所
-
渡邊 一希
株式会社日立製作所中央研究所
-
渡邊 一希
日立製作所中央研究所
-
小野 豪一
日立製作所中央研究所:yrpユビキタスネットワーキング研究所
-
宮崎 祐行
日立製作所
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