SOIを用いた低電力SoC向けSRAMメモリセル(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
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概要
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FD-SOIの一種であるD2G-SOIというトランジスタ構造を用いて、低電力SoCに最適な2種類のSRAMメモリセルを提案する。1つは6トランジスタ型のメモリセルで65nmプロセスを仮定すると0.6Vでの動作をシミュレーションで確認した。また1つは4トランジスタ型のメモリセルで従来の回路に比ベリーク電流を1/1000以下に低減できる見通しを得た。2種類のメモリセルを選択的にSoCに適用することでチップ全体の性能向上が可能となる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-08-12
著者
-
山岡 雅直
日立製作所・中央研究所
-
河原 尊之
(株)日立製作所中央研究所
-
土屋 龍太
日立製作所中央研究所
-
木村 紳一郎
日立製作所中央研究所
-
山岡 雅直
株式会社日立製作所中央研究所
-
河原 尊之
株式会社日立製作所中央研究所
-
長田 健一
(株)日立製作所中央研究所
-
長田 健一
株式会社日立製作所中央研究所
-
土屋 龍太
(株)日立製作所中央研究所
-
土屋 龍太
株式会社日立製作所中央研究所
-
堀内 勝忠
(株)日立製作所中央研究所
-
堀内 勝忠
株式会社日立製作所中央研究所
-
木村 紳一郎
株式会社日立製作所中央研究所
-
山岡 雅直
日立製作所中央研究所
-
山岡 雅直
(株)日立製作所中央研究所
-
長田 健一
株式会社日立製作所
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