長田 健一 | 株式会社日立製作所中央研究所
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概要
関連著者
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長田 健一
(株)日立製作所中央研究所
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長田 健一
株式会社日立製作所中央研究所
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佐圓 真
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大熊 康介
株式会社日立製作所
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島崎 靖久
慶応大学理工学部
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野々村 到
株式会社ルネサステクノロジ
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新津 葵一
慶応大学理工学部
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杉森 靖史
慶応大学理工学部
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小浜 由範
慶応大学理工学部
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春日 一貴
慶応大学理工学部
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蒲原 史朗
ルネサステクノロジ
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(株)ルネサステクノロジ
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伊藤 清男
(株)日立製作所中央研究所
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柳沢 一正
(株)ルネサステクノロジ
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斉藤 良和
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北井 直樹
(株)日立超LSIシステムズ
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蒲原 史朗
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前田 徳章
株式会社ルネサステクノロジ
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篠崎 義弘
株式会社日立超LSIシステムズ
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島田 茂
株式会社ルネサステクノロジ
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柳沢 一正
株式会社ルネサステクノロジ
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黒田 忠広
慶應義塾大学大学院理工学研究科
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加藤 圭
Renesas Technology Corp.
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前田 徳章
スーパーエイチジャパン株式会社
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島崎 靖久
スーパーエイチジャパン株式会社
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加藤 圭
株式会社ルネサステクノロジ
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山岡 正直
株式会社日立製作所中央研究所
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斉藤 良和
株式会社日立製作所半導体事業部
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石橋 孝一郎
株式会社日立製作所中央研究所
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劉 鳴
株式会社日立製作所中央研究所
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中川 樹生
株式会社日立製作所中央研究所
著作論文
- 電荷収集と寄生バイポーラ効果を考慮したSRAMの中性子ソフトエラー解析(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般)
- D2G-SOIトランジスタを用いた低電力SoC向けSRAMセル(回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
- SOIを用いた低電力SoC向けSRAMメモリセル(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
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- 誘導結合を用いたプロセッサと複数メモリの三次元集積技術(システム設計と最適化II,システム設計及び一般)
- 携帯電話向けアプリケーションプロセッサに最適なスタンバイ電流性能25μA/MbitのオンチップSRAM(新メモリ技術,メモリ応用技術,一般)
- 低電力SRAMの技術動向(新メモリ,メモリ応用技術,一般)
- 16.7fA/cell Tunnel-Leakage-Suppressed 16Mb SRAM for Handling Cosmic-Ray-Induced Multi-Errors(VSLI一般(ISSCC'03関連特集))
- 誘導結合を用いたプロセッサと複数メモリの三次元集積技術
- [招待講演]DCDCコンバータのデジタルヒステリシス予測制御方式