斉藤 良和 | (株)ルネサステクノロジ

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概要

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関連著者

• 長田 健一

  (株)日立製作所中央研究所

• 斉藤 良和

  (株)ルネサステクノロジ

• 長田 健一

  株式会社日立製作所

• 長田 健一

  (株)日立製作所 中央研究所

• 小田部 晃

  (株)日立製作所 中央研究所

• 蒲原 史朗

  ルネサステクノロジ

• 蒲原 史朗

  (株)ルネサステクノロジ

• 北井 直樹

  (株)日立超LSIシステムズ

• 茂庭 昌弘

  (株)ルネサステクノロジ

• 小田部 晃

  (株)日立製作所中央研究所

• 藤岡 美緒

  (株)ルネサステクノロジ

• 森田 貞幸

  (株)ルネサステクノロジ

• 河原 尊之

  (株)日立製作所中央研究所

• 山口 憲

  (株)日立製作所中央研究所

• 長田 健一

  株式会社日立製作所中央研究所

• 石橋 孝一郎

  (株)ルネサステクノロジ

• 斉藤 良和

  株式会社日立製作所半導体事業部

• 石橋 孝一郎

  株式会社日立製作所中央研究所

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著作論文

• SRAMの宇宙線中性子によるマルチエラー解析及びマルチエラー低減技術
• 従来型メモリセルの1/3の面積を実現する縦型MOSを用いた4トランジスタSRAMセル(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
• 従来型メモリセルの1/3の面積を実現する縦型MOSを用いた4トランジスタSRAMセル(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
• 16.7fA/cell Tunnel-Leakage-Suppressed 16Mb SRAM for Handling Cosmic-Ray-Induced Multi-Errors(VSLI一般(ISSCC'03関連特集))

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