酸素添加GeSbTe相変化メモリセルの研究(新型不揮発性メモリ)
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概要
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相変化メモリを非晶質の高抵抗状態にするリセット動作に必要な電力の低減は、相変化メモリをCMOSロジックLSIと混載する上で重要な課題である。我々は、酸素を添加したGeSbTeを用いた相変化メモリセルを試作し、プラグ径180nmのW下部電極を用いて1.5V/100μAのリセット電圧・電流を達成した。また、リセット状態を10年間保持できる温度は、無添加GeSbTeを用いた相変化メモリでは70℃であったが、酸素添加によって100℃に向上した。リセット電圧・電流の低減はGeSbTe中のGeの一部を酸化して相変化膜の抵抗を制御したこと、保持温度の向上はGeSbTeの結晶成長を抑制したことに起因すると考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-03-07
著者
-
岩崎 富生
(株)日立製作所機械研究所
-
外村 修
(株)日立製作所 中央研究所
-
松井 裕一
(株)日立製作所中央研究所
-
藤崎 芳久
(株)日立製作所中央研究所
-
竹村 理一郎
(株)日立製作所中央研究所
-
河原 尊之
(株)日立製作所中央研究所
-
黒土 健三
日立製作所中央研究所
-
半澤 悟
日立製作所中央研究所
-
守谷 浩志
日立製作所機械研究所
-
高浦 則克
日立製作所中央研究所
-
山本 直樹
高知工科大学 総合研究所 マテリアルデザインセンター
-
長田 健一
(株)日立製作所中央研究所
-
半澤 悟
(株)日立製作所中央研究所
-
北井 直樹
(株)日立超LSIシステムズ
-
松崎 望
(株)日立製作所中央研究所
-
高浦 則克
(株)日立製作所中央研究所
-
茂庭 昌弘
(株)ルネサステクノロジ
-
黒土 健三
(株)日立製作所 中央研究所
-
守谷 浩志
(株)日立製作所 機械研究所
-
寺尾 元康
(株)日立製作所 中央研究所
-
松岡 正道
(株)ルネサステクノロジ
-
岩崎 富生
(株)日立製作所 機械研究所
-
山本 直樹
高知工科大学 総合研究所
-
岩崎 富生
(株)日立製作所
-
藤崎 芳久
(株)日立製作所
-
松井 裕一
(株)日立製作所 中央研究所
-
寺尾 元康
(株)日立製作所 ストレージテクノロジー研究センター
-
長田 健一
株式会社日立製作所
-
松崎 望
(株)日立製作所 中央研究所
-
長田 健一
(株)日立製作所 中央研究所
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