双方向電流書換方式、平行化方向読出し方式を用いた2Mb-SPRAM (SPin-transfer torque RAM)(新メモリ技術とシステムLSI)
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概要
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トンネル磁気抵抗のスピン制御にスピン注入磁化反転方式を用いたSPRAM(SPin-transfer torque RAM)は、高速書き込み・読み出し動作が可能であり、不揮発RAMとして期待されている。我々は、0.2μmのロジックプロセスと障壁層が酸化マグネシウムのトンネル磁気抵抗変化素子を用いて2MbのSPRAMを試作した。スピン注入磁化反転による書き換え動作を実現するために、書込みデータにしたがって、スピンの方向をビット毎に制御可能な双方向電流書き換え方式を開発した。さらに、高速な読み出し動作と読み出しディスターブを抑制する平行化方向読み出し方式を採用した。開発した回路は、書込み時間100nsとアクセス時間40nsでの動作を実現する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-04-05
著者
-
高橋 宏昌
(株)日立製作所ストレージテクノロジー研究センタ
-
後藤 康
(株)日立製作所中央研究所
-
後藤 康
(株)日立製作所 中央研究所
-
竹村 理一郎
(株)日立製作所中央研究所
-
河原 尊之
(株)日立製作所中央研究所
-
三浦 勝哉
(株)日立製作所基礎研究所
-
早川 純
(株)日立製作所基礎研究所
-
池田 正二
東北大学電気通信研究所
-
李 永〓
東北大学電気通信研究所
-
佐々木 龍太郎
東北大学電気通信研究所
-
伊藤 顕知
日立ヨーロッパ社日立ケンブリッジ研究所
-
目黒 敏靖
東北大学電気通信研究所
-
松倉 文[ひろ]
東北大学電気通信研究所
-
松岡 秀行
(株)日立製作所基礎研究所
-
大野 英男
東北大学電気通信研究所
-
早川 純
(株)日立製作所基礎研究所:東北大学電気通信研究所
-
大野 英男
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
-
高橋 宏昌
(株)日立製作所基礎研究所
-
松倉 文礼
東北大学電気通信研究所附属ナノ・スピン実験施設
-
伊藤 顕知
(株)日立製作所基礎研究所
-
池田 正二
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
-
三浦 勝哉
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設:日立製作所基礎研究所
-
佐々木 龍太郎
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
-
高橋 宏昌
(株)日立製作所研究開発本部
-
松倉 文
東北大学電気通信研究所附属ナノ・スピン実験施設
-
松倉 文〓
東北大学電気通信研究所 超高密度・高速知能システム実験施設
-
李 永〓
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
-
目黒 敏靖
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
-
松倉 文
東北大学 電気通信研究所
-
三浦 勝哉
日立製作所基礎研究所
-
早川 純
日立 中研
-
早川 純
日立 基礎研
-
高橋 宏昌
(株)日立製作所 基礎研究所
-
大野 英男
東北大学 電気通信研究所 ナノ・スピン実験施設
-
伊藤 顕知
(株)日立製作所 基礎研究所
-
池田 正二
東北大学 電気通信研究所 ナノ・スピン実験施設
-
早川 純
(株)日立製作所 基礎研究所
-
大野 英男
東北大学電気通信研究所東北大省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター
-
松岡 秀行
日立製作所基礎研究所
-
高橋 宏昌
日立製作所ST研究センター
-
松岡 秀行
(株)日立製作所中央研究所
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