大野 英男 | 東北大学電気通信研究所東北大省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター
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概要
関連著者
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大野 英男
東北大学電気通信研究所
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大野 英男
東北大学電気通信研究所東北大省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター
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大野 英男
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
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伊藤 顕知
(株)日立製作所基礎研究所
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伊藤 顕知
(株)日立製作所 基礎研究所
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高橋 宏昌
(株)日立製作所ストレージテクノロジー研究センタ
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竹村 理一郎
(株)日立製作所中央研究所
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河原 尊之
(株)日立製作所中央研究所
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早川 純
(株)日立製作所基礎研究所
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池田 正二
東北大学電気通信研究所
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早川 純
(株)日立製作所基礎研究所:東北大学電気通信研究所
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高橋 宏昌
(株)日立製作所基礎研究所
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池田 正二
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
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早川 純
日立 中研
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早川 純
日立 基礎研
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池田 正二
東北大学 電気通信研究所 ナノ・スピン実験施設
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高橋 宏昌
日立製作所ST研究センター
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高橋 宏昌
(株)日立製作所研究開発本部
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大野 英男
東北大学 電気通信研究所 ナノ・スピン実験施設
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佐々木 龍太郎
東北大学電気通信研究所
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松岡 秀行
(株)日立製作所基礎研究所
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三浦 勝哉
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設:日立製作所基礎研究所
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佐々木 龍太郎
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
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三浦 勝哉
日立製作所基礎研究所
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伊藤 顕知
(株)日立製作所 中央研究所ストレージ研究部
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松岡 秀行
日立製作所基礎研究所
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伊藤 顕知
(株)日立製作所中央研究所
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三浦 勝哉
(株)日立製作所基礎研究所
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山ノ内 路彦
(株)日立製作所基礎研究所
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小埜 和夫
(株)日立製作所中央研究所
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松倉 文礼
東北大学電気通信研究所附属ナノ・スピン実験施設
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松倉 文
東北大学電気通信研究所附属ナノ・スピン実験施設
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松倉 文〓
東北大学電気通信研究所 超高密度・高速知能システム実験施設
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高橋 宏昌
(株)日立製作所 基礎研究所
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早川 純
(株)日立製作所 基礎研究所
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小埜 和夫
(株)日立製作所 中央研究所
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松岡 秀行
(株)日立製作所中央研究所
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高橋 宏昌
日立製作所基礎研究所
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大野 英男
東北大通研
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李 永〓
東北大学電気通信研究所
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目黒 敏靖
東北大学電気通信研究所
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石垣 隆士
(株)日立製作所中央研究所
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早川 純
日立製作所基礎研究所
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早川 純
日立製作所 基礎研究所
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李 永〓
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
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目黒 敏靖
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
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松倉 文
東北大学 電気通信研究所
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大野 裕三
東北大通研
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平家 誠嗣
日立基礎研
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橋詰 富博
日立基礎研
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平家 誠嗣
株式会社日立製作所基礎研究所
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橋詰 富博
東北大WPI-AIMR
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市村 雅彦
日立基礎研
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河原 尊之
日立製作所・中央研究所
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中嶋 一雄
東北大学金属材料研究所
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後藤 康
(株)日立製作所中央研究所
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小柳 光正
東北大学大学院工学研究科機械知能工学専攻知能システム設計学研究室
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後藤 康
(株)日立製作所 中央研究所
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伊藤 顕知
日立ヨーロッパ社日立ケンブリッジ研究所
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松倉 文[ひろ]
東北大学電気通信研究所
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栗野 浩之
東北大学大学院工学研究科機械知能工学専攻
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栗野 浩之
東北大学大学院工学研究科バイオロボティクス専攻
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藤森 正成
日立中研
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藤森 正成
日立基礎研
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早川 純
日立基礎研
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高橋 宏昌
日立基礎研
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伊藤 顕知
日立ケンブリッジ研究所
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池田 正二
東北大通研
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伊藤 顕知
日立製作所生産技術研究所
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好田 誠
東北大通研
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松倉 文
東北大通研
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松岡 秀行
日立製作所中央研究所
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市村 雅彦
東北大金研:日立基礎研
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松倉 文礼
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
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小埜 和夫
日立製作所中央研究所
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竹村 理一郎
日立製作所中央研究所
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山ノ内 路彦
日立製作所基礎研究所
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小柳 光正
東北大学大学院工学研究科
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好田 誠
東北大院工:presto Jst
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平家 誠嗣
日立中研
著作論文
- 双方向電流書換方式、平行化方向読出し方式を用いた2Mb-SPRAM (SPin-transfer torque RAM)(新メモリ技術とシステムLSI)
- 積層フェリ自由層トンネル磁気抵抗効果素子を備えたSPRAMのリードディスターブ耐性と書き込み電流のばらつきの低減(メモリ,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 積層フェリ自由層トンネル磁気抵抗効果素子を備えたSPRAMのリードディスターブ耐性と書き込み電流のばらつきの低減(メモリ, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 交換バイアス型スピンバルブ素子のスピントルク磁化反転
- スパッタ製膜MgO障壁強磁性トンネル素子の磁気抵抗効果とスピントルク磁化反転
- 電子材料研究の環境
- 新磁性考
- MRAM技術の展望と東北大におけるITプログラム(新型不揮発性メモリー)
- 27pXJ-7 半導体へのスピン注入(領域3シンポジウム : スピン注入現象の新展開)(領域3)
- III-V族強磁性半導体ヘテロ構造と半導体スピンエレクトロニクス
- 「21世紀を拓く薄膜結晶成長」特集号を組むにあたって
- スピン制御半導体の機能と可能性
- 磁性体メモリ最新動向と多値スピン注入MRAM(MLC-SPRAM)(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 高読出しディスターブ耐性と長リテンションを実現する高耐熱スピン注入RAM
- スピン注入RAM(SPRAM)の動向および多値化技術(不揮発性メモリ,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)