松岡 秀行 | (株)日立製作所基礎研究所
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概要
関連著者
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松岡 秀行
(株)日立製作所基礎研究所
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河原 尊之
(株)日立製作所中央研究所
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高橋 宏昌
(株)日立製作所ストレージテクノロジー研究センタ
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竹村 理一郎
(株)日立製作所中央研究所
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松岡 秀行
日立製作所基礎研究所
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松岡 秀行
(株)日立製作所中央研究所
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三浦 勝哉
(株)日立製作所基礎研究所
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早川 純
(株)日立製作所基礎研究所
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池田 正二
東北大学電気通信研究所
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大野 英男
東北大学電気通信研究所
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山ノ内 路彦
(株)日立製作所基礎研究所
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早川 純
(株)日立製作所基礎研究所:東北大学電気通信研究所
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高橋 宏昌
(株)日立製作所基礎研究所
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池田 正二
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
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三浦 勝哉
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設:日立製作所基礎研究所
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伊藤 顕知
(株)日立製作所中央研究所
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大野 英男
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
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伊藤 顕知
(株)日立製作所基礎研究所
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大野 英男
東北大学 電気通信研究所 ナノ・スピン実験施設
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池田 正二
東北大学 電気通信研究所 ナノ・スピン実験施設
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小埜 和夫
(株)日立製作所中央研究所
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高橋 宏昌
(株)日立製作所研究開発本部
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三浦 勝哉
日立製作所基礎研究所
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早川 純
日立 中研
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早川 純
日立 基礎研
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高橋 宏昌
(株)日立製作所 基礎研究所
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伊藤 顕知
(株)日立製作所 基礎研究所
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早川 純
(株)日立製作所 基礎研究所
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大野 英男
東北大学電気通信研究所東北大省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター
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高橋 宏昌
日立製作所ST研究センター
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佐々木 龍太郎
東北大学電気通信研究所
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(株)日立製作所中央研究所
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山本 浩之
(株)日立製作所基礎研究所
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長谷川 晴弘
(株)日立製作所基礎研究所
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佐々木 龍太郎
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
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伊藤 顕知
(株)日立製作所 中央研究所ストレージ研究部
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関口 知紀
(株)日立製作所システム開発研究所
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半澤 悟
日立製作所中央研究所
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関口 知紀
株式会社日立製作所中央研究所
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半澤 悟
(株)日立製作所中央研究所
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阪田 健
(株)日立製作所中央研究所
-
坂田 健
(株)日立製作所 中央研究所
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関口 知紀
(株)日立製作所中央研究所
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長谷川 晴弘
日立製作所基礎研究所
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小埜 和夫
(株)日立製作所 中央研究所
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高橋 宏昌
日立製作所基礎研究所
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木村 紳一郎
(株)日立製作所中央研究所
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河原 尊之
日立製作所・中央研究所
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後藤 康
(株)日立製作所中央研究所
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(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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前川 繁登
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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大路 譲
株式会社日立製作所半導体事業部
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山岡 雅直
日立製作所・中央研究所
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後藤 康
(株)日立製作所 中央研究所
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李 永〓
東北大学電気通信研究所
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伊藤 顕知
日立ヨーロッパ社日立ケンブリッジ研究所
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目黒 敏靖
東北大学電気通信研究所
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松倉 文[ひろ]
東北大学電気通信研究所
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土屋 龍太
日立製作所中央研究所
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木村 紳一郎
日立製作所中央研究所
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大路 譲
(株)ルネサステクノロジ
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山岡 雅直
(株)日立製作所 中央研究所
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大路 譲
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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阪田 健
(株)日立製作所研究開発本部
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土屋 龍太
(株)日立製作所中央研究所
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早川 純
日立製作所基礎研究所
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早川 純
日立製作所 基礎研究所
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堀内 勝忠
(株)日立製作所中央研究所
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山本 浩之
(株)日立製作所基礎研究所:東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
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松岡 秀行
日立中研
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松倉 文礼
東北大学電気通信研究所附属ナノ・スピン実験施設
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伊藤 顕知
日立製作所生産技術研究所
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松岡 秀行
日立製作所中央研究所
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松倉 文
東北大学電気通信研究所附属ナノ・スピン実験施設
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山岡 雅直
日立製作所中央研究所
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山岡 雅直
(株)日立製作所中央研究所
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松倉 文〓
東北大学電気通信研究所 超高密度・高速知能システム実験施設
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李 永〓
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
-
目黒 敏靖
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
-
大路 譲
半導体先端テクノロジーズ(selete)
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松倉 文
東北大学 電気通信研究所
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小埜 和夫
日立製作所中央研究所
-
竹村 理一郎
日立製作所中央研究所
-
山ノ内 路彦
日立製作所基礎研究所
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山本 浩之
(株)日立製作所 基礎研究所
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長谷川 晴弘
(株)日立製作所 基礎研究所
-
松崎 望
(株)日立製作所 中央研究所
-
一法師 隆志
(株)ルネサステクノロジ
-
三浦 勝哉
(株)日立製作所基礎研究所:東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
-
前川 繁登
(株)ルネサステクノロジ
著作論文
- 依頼講演 双方向ローカルライトドライバ,1/0平均化リファレンスセル,2T1Rセルレイアウトを用いた32Mb SPRAM (集積回路)
- 双方向電流書換方式、平行化方向読出し方式を用いた2Mb-SPRAM (SPin-transfer torque RAM)(新メモリ技術とシステムLSI)
- 積層フェリ自由層トンネル磁気抵抗効果素子を備えたSPRAMのリードディスターブ耐性と書き込み電流のばらつきの低減(メモリ,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 積層フェリ自由層トンネル磁気抵抗効果素子を備えたSPRAMのリードディスターブ耐性と書き込み電流のばらつきの低減(メモリ, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 2Mビットのスピン注入方式不揮発性RAMを試作
- ユビキタス情報時代の超低消費電力LSI技術 デバイス・回路・RAM (特集 ユビキタス情報社会を支える半導体)
- MISS型トンネル・ダイオード・メモリ用高S/N化技術
- MISS型トンネル・ダイオード・メモリ用高S/N化技術
- 双方向ローカルライトドライバ, 1/0平均化リファレンスセル,2T1Rセルレイアウトを用いた32Mb SPRAM(新材料メモリ,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- Wide-rangeバックバイアス制御を可能にする低電力・高性能Silicon on Thin BOXデバイス技術(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 高読出しディスターブ耐性と長リテンションを実現する高耐熱スピン注入RAM
- 双方向ローカルライトドライバ, 1/0平均化リファレンスセル, 2T1Rセルレイアウトを用いた32Mb SPRAM