ユビキタス情報時代の超低消費電力LSI技術 デバイス・回路・RAM (特集 ユビキタス情報社会を支える半導体)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 日立評論社の論文

著者

• 松岡 秀行

  (株)日立製作所基礎研究所

• 阪田 健

  (株)日立製作所研究開発本部

• 松岡 秀行

  日立製作所基礎研究所

関連論文

• 依頼講演 双方向ローカルライトドライバ,1/0平均化リファレンスセル,2T1Rセルレイアウトを用いた32Mb SPRAM (集積回路)
• 双方向電流書換方式、平行化方向読出し方式を用いた2Mb-SPRAM (SPin-transfer torque RAM)(新メモリ技術とシステムLSI)
• 積層フェリ自由層トンネル磁気抵抗効果素子を備えたSPRAMのリードディスターブ耐性と書き込み電流のばらつきの低減(メモリ,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• 積層フェリ自由層トンネル磁気抵抗効果素子を備えたSPRAMのリードディスターブ耐性と書き込み電流のばらつきの低減(メモリ, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• 2Mビットのスピン注入方式不揮発性RAMを試作
• ユビキタス情報時代の超低消費電力LSI技術 デバイス・回路・RAM (特集 ユビキタス情報社会を支える半導体)
• MISS型トンネル・ダイオード・メモリ用高S/N化技術
• MISS型トンネル・ダイオード・メモリ用高S/N化技術
• One-hot-spotブロック符号を用いたネットワーク・ルータ向け大容量・低電力ダイナミックCAM(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
• One-hot-spotブロック符号を用いたネットワーク・ルータ向け大容量・低電力ダイナミックCAM(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
• 双方向ローカルライトドライバ, 1/0平均化リファレンスセル,2T1Rセルレイアウトを用いた32Mb SPRAM(新材料メモリ,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• Wide-rangeバックバイアス制御を可能にする低電力・高性能Silicon on Thin BOXデバイス技術(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 高読出しディスターブ耐性と長リテンションを実現する高耐熱スピン注入RAM
• 双方向ローカルライトドライバ, 1/0平均化リファレンスセル, 2T1Rセルレイアウトを用いた32Mb SPRAM

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク