半澤 悟 | (株)日立製作所中央研究所
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概要
関連著者
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半澤 悟
日立製作所中央研究所
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半澤 悟
(株)日立製作所中央研究所
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梶谷 一彦
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(株)日立製作所 中央研究所
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坂田 健
(株)日立製作所 中央研究所
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松岡 秀行
日立中研
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松岡 秀行
日立製作所基礎研究所
著作論文
- 書換え電流100μA,書換え速度416kB/sで動作する混載向け512kB相変化メモリ(新メモリ技術とシステムLSI)
- 酸素添加GeSbTe相変化メモリセルの研究(新型不揮発性メモリ)
- 1.5V-CMOS動作オンチップ相変化RAM回路技術
- 1.5V-CMOS動作オンチップ相変化RAM回路技術(デジタル・情報家電, 放送用, ゲーム機用システムLSI, 及び一般)
- 0.4V高速動作、長リテンション時間を実現する12F^2ツインセルDRAMアレー(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- MISS型トンネル・ダイオード・メモリ用高S/N化技術
- MISS型トンネル・ダイオード・メモリ用高S/N化技術
- One-hot-spotブロック符号を用いたネットワーク・ルータ向け大容量・低電力ダイナミックCAM(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
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- 0.4V高速動作、長リテンション時間を実現する12F^2ツインセルDRAMアレー(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- 五酸化タンタル界面層の形成による相変化メモリの書換えの低電力化(不揮発性メモリ及び関連プロセス一般)