梶谷 一彦 | エルピーダメモリ(株)開発センター
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概要
関連著者
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梶谷 一彦
エルピーダメモリ(株)開発センター
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梶谷 一彦
日立製作所デバイス開発センタ
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竹村 理一郎
(株)日立製作所中央研究所
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河原 尊之
(株)日立製作所中央研究所
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半澤 悟
日立製作所中央研究所
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梶谷 一彦
エルピーダ
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半澤 悟
(株)日立製作所中央研究所
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秋山 悟
(株)日立製作所中央研究所
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関口 知紀
(株)日立製作所中央研究所
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秋山 悟
日立製作所・中央研究所
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梶谷 一彦
(株)日立製作所デバイス開発センター
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伊藤 清男
(株)日立製作所中央研究所
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梶谷 一彦
(株)日立製作所デバイス開発センタ
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伊藤 清男
株式会社日立製作所中央研究所
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関口 知紀
株式会社日立製作所中央研究所
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関口 知紀
(株)日立製作所システム開発研究所
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堀口 真志
(株)日立製作所半導体事業部
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長谷川 雅俊
(株)日立製作所デバイス開発センター
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中込 儀延
(株)日立製作所半導体事業部
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長谷川 雅俊
日立製作所デバイス開発センタ
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中込 儀延
株式会社 日立製作所 半導体事業部
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中込 儀延
日立製作所中央研究所
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阪田 健
(株)日立製作所中央研究所
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阪田 健
(株)日立製作所研究開発本部
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中村 正行
(株)日立製作所デバイス開発センター
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青木 正和
(株)日立製作所中央研究所
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田中 均
日立超LSIシステムズ
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川瀬 靖
日立デバイスエンジニアリング(株)
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秋葉 武定
日立デバイスエンジニアリング(株)
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衛藤 潤
(株)日立製作所
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秋山 悟
株式会社日立製作所中央研究所
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竹村 理一郎
株式会社日立製作所中央研究所
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衛藤 潤
(株)日立製作所中央研究所
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河原 尊之
株式会社日立製作所中央研究所
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半澤 悟
株式会社日立製作所 中央研究所
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松本 哲郎
(株)日立製作所デバイス開発センタ
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福井 健一
東京工業大学大学院総合理工学研究科知能システム科学専攻
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関口 知紀
株式会社 日立製作所 中央研究所
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秋山 悟
株式会社 日立製作所 中央研究所
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半澤 悟
株式会社 日立製作所 中央研究所
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竹村 理一郎
株式会社 日立製作所 中央研究所
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河原 尊之
株式会社 日立製作所 中央研究所
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福井 健一
(株)日立製作所半導体事業部
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遠藤 均
日立超LSIエンジニアリング(株)
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船場 誠司
(株)日立製作所半導体事業部
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伊藤 伸高
(株)日立製作所デバイス開発センタ
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青木 正和
日立製作所中央研究所
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半澤 悟
株式会社日立製作所
著作論文
- リーク電流低域による256Mb-DRAMの低消費電力化
- 0.4V高速動作、長リテンション時間を実現する12F^2ツインセルDRAMアレー(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- ギガビット時代のDRAM設計における統計的手法導入の提案(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般, ISSCC特集2 DRAM)
- One-hot-spotブロック符号を用いたネットワーク・ルータ向け大容量・低電力ダイナミックCAM(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- One-hot-spotブロック符号を用いたネットワーク・ルータ向け大容量・低電力ダイナミックCAM(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 0.4V高速動作、長リテンション時間を実現する12F^2ツインセルDRAMアレー(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- ミラー補償による高集積DRAM用電圧リミタ回路の安定化
- ギガビット時代のDRAM設計における統計的手法導入の提案
- 高速ロックインを特徴とする逐次比較型ディジタルDLL