リーク電流低域による256Mb-DRAMの低消費電力化

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概要

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• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1998-03-06

著者

• 中村 正行

  (株)日立製作所デバイス開発センター

• 川瀬 靖

  日立デバイスエンジニアリング(株)

• 堀口 真志

  (株)日立製作所半導体事業部

• 長谷川 雅俊

  (株)日立製作所デバイス開発センター

• 秋葉 武定

  日立デバイスエンジニアリング(株)

• 梶谷 一彦

  (株)日立製作所デバイス開発センター

• 中込 儀延

  (株)日立製作所半導体事業部

• 梶谷 一彦

  エルピーダメモリ(株)開発センター

• 梶谷 一彦

  日立製作所デバイス開発センタ

• 梶谷 一彦

  (株)日立製作所デバイス開発センタ

• 長谷川 雅俊

  日立製作所デバイス開発センタ

• 中込 儀延

  株式会社 日立製作所 半導体事業部

• 中込 儀延

  日立製作所中央研究所

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