不揮発性強誘電体メモリにおける信号量簡易計算手法の提案
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概要
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強誘電体メモリにおいては, 印加電圧, 材料特性のばらつき, 疲労現象, インプリント特性等により強誘電体キャパシタの履歴曲線が複雑に変化し, メモリ信号量の解析を難しくしている。本報告では, 強誘電体の履歴曲線を平行四辺形近似し, 短時間での信号量解析を可能にする手法を提案する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06
著者
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