ミラー補償による高集積DRAM用電圧リミタ回路の安定化
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティの論文
- 1992-08-25
著者
-
青木 正和
(株)日立製作所中央研究所
-
田中 均
日立超LSIシステムズ
-
堀口 真志
(株)日立製作所半導体事業部
-
梶谷 一彦
(株)日立製作所デバイス開発センター
-
伊藤 清男
(株)日立製作所中央研究所
-
梶谷 一彦
エルピーダメモリ(株)開発センター
-
梶谷 一彦
日立製作所デバイス開発センタ
-
梶谷 一彦
(株)日立製作所デバイス開発センタ
-
伊藤 清男
株式会社日立製作所中央研究所
-
衛藤 潤
(株)日立製作所
-
衛藤 潤
(株)日立製作所中央研究所
-
松本 哲郎
(株)日立製作所デバイス開発センタ
-
青木 正和
日立製作所中央研究所
関連論文
- 補間画素配置を用いた高解像度MOS形撮像素子
- 4-1 MOS単板カラーカメラの画質改善
- 高解像度MOS形固体撮像素子
- 3-13 MOS形固体撮像素子の垂直スメア
- 4-13 補色方式単板カラーカメラ
- 2-6 2/3インチ単板カラーカメラ用MOS形固体撮像素子
- 2-5 MOS形固体撮像素子の固定パターン雑音抑圧方法(その1)
- 2-3 MOS形固体撮像素子用低雑音走査回路
- 2-8 差動形パルス回路を内蔵した64段BCD(Bulk Charge-transfer Device)アナログメモリ
- 高速DRAMインタフェース用同期タイミング調整回路
- メモリLSIにおけるアナログ技術
- リーク電流低域による256Mb-DRAMの低消費電力化
- ECL 1 Mb Bi-CMOS DRAM の回路設計
- Gate-Protected Poly-Diode型チャージポンプを用いた1.8V単一電源16Mbit-DINOR型BGOフラッシュメモリ
- ファイル応用を指向した256MビットDRAMの回路技術
- 大容量DRAMの技術動向とサブ1-V DRAM動作低しきい値高感度アンプ動的制御方式(メモリ技術)
- ギガビットDRAM用高データレート回路技術
- 0.4V高速動作、長リテンション時間を実現する12F^2ツインセルDRAMアレー(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- ギガビット時代のDRAM設計における統計的手法導入の提案(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般, ISSCC特集2 DRAM)
- 不揮発DRAM用高耐性・低電力回路技術
- A Precise On-Chip Voltage Generator for a Giga-scale DRAM with a Negative Word-line Scheme
- 高速・低電力強誘電体メモリを実現する新読み出し回路方式
- 階段波出力バッファを用いた低ノイズ・高速データ伝送
- 220MHz 1Gb DRAM用分散形サブアレー制御方式
- 2次元選択給電線方式によるギガビットDRAMのサブスレッショルド電流低減
- DRAMセルアレーを用いた10^6シナプス、デジタルニューロチップの検討(マイクロ・プロセッサ,ニューラルネットワーク)
- DRAMセルアレーを用いた10^6シナプス、デジタルニューロチップの検討
- One-hot-spotブロック符号を用いたネットワーク・ルータ向け大容量・低電力ダイナミックCAM(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- One-hot-spotブロック符号を用いたネットワーク・ルータ向け大容量・低電力ダイナミックCAM(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- インバータ速度制御、低Vthバラツキを可能にする薄膜BOX-SOIデュアル・バックバイアス制御技術(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 0.4V高速動作、長リテンション時間を実現する12F^2ツインセルDRAMアレー(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- D2G-SOIトランジスタを用いた低電力SoC向けSRAMセル(回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
- 低電圧・低電力時代の回路技術
- ミラー補償による高集積DRAM用電圧リミタ回路の安定化
- 高速大容量メモリー素子の将来
- ギガビット時代のDRAM設計における統計的手法導入の提案
- 高速DRAMインタフェース用同期タイミング調整回路
- 高速DRAMインタフェース用同期タイミング調整回路
- 高速ロックインを特徴とする逐次比較型ディジタルDLL
- 論理混載チップのためのDRAMマクロのモジュール化設計方式の提案
- 強誘電体キャパシタを用いたVcc/2プレート不揮発性DRAMの提案及びシミュレーションによる検証
- Vcc/2共通プレートを可能とする不揮発性強誘電体メモリの動作方式の提案
- 加熱効率の良い取鍋加熱装置の全面的活用による灯油使用量の削減
- 0.5V小面積DRAMアレイ実現に向けた電流制御スイッチ付きセンスアンプ(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 0.5V小面積DRAMアレイ実現に向けた電流制御スイッチ付きセンスアンプ(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 依頼講演 0.5V動作高速CMOS LSIの実現に向けたデバイス特性考慮回路設計 (集積回路)
- 0.5V動作高速CMOS LSIの実現に向けたデバイス特性考慮回路設計(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)