高速DRAMインタフェース用同期タイミング調整回路
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
高速DRAMインタフェースのオンチップ同期タイミング調整回路を高精度化する、絞り込みアレー遅延回路(Squeezed Array Delay:SQUAD)を提案する。SQUADはアレー状に配列されたデジタルCMOS回路で構成され、100ps以下の時間分解能で一連の遅延信号を供給する。単位遅延回路に、入力パルス間の位相差圧縮機(Squeezer)を設けて動作を安定化させた。0。35μm技術で設計したSQUADの時間分解能は26psであった。同期タイミング調整回路に適用すると、100ps以下の誤差で2クロックサイクルでロックさせることが出来る。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-06-19
著者
-
青木 正和
日立製作所半導体事業部
-
野田 浩正
日立製作所半導体事業部
-
田中 均
日立超LSIシステムズ
-
永島 靖
日立製作所デバイス開発センター
-
青木 英之
日立製作所半導体事業部
-
野田 浩正
エルピーダメモリ(株)
-
田中 均
(株)日立超LSIシステムズ
-
青木 正和
日立製作所中央研究所
関連論文
- カラムアクセス8.4ns,1.6Gbspデータ転送を実現する512M DDR3 SDRAMのデータ転送回路技術の開発(新メモリ技術とシステムLSI)
- 補間画素配置を用いた高解像度MOS形撮像素子
- 4-1 MOS単板カラーカメラの画質改善
- 高解像度MOS形固体撮像素子
- 3-13 MOS形固体撮像素子の垂直スメア
- 4-13 補色方式単板カラーカメラ
- 2-6 2/3インチ単板カラーカメラ用MOS形固体撮像素子
- 2-5 MOS形固体撮像素子の固定パターン雑音抑圧方法(その1)
- 2-3 MOS形固体撮像素子用低雑音走査回路
- 高速DRAMインタフェース用同期タイミング調整回路
- メモリLSIにおけるアナログ技術
- ファイル応用を指向した256MビットDRAMの回路技術
- ギガビットDRAM用高データレート回路技術
- A Precise On-Chip Voltage Generator for a Giga-scale DRAM with a Negative Word-line Scheme
- 高速・低電力強誘電体メモリを実現する新読み出し回路方式
- 階段波出力バッファを用いた低ノイズ・高速データ伝送
- 220MHz 1Gb DRAM用分散形サブアレー制御方式
- 2次元選択給電線方式によるギガビットDRAMのサブスレッショルド電流低減
- DRAMセルアレーを用いた10^6シナプス、デジタルニューロチップの検討(マイクロ・プロセッサ,ニューラルネットワーク)
- DRAMセルアレーを用いた10^6シナプス、デジタルニューロチップの検討
- 低電圧・低電力時代の回路技術
- ミラー補償による高集積DRAM用電圧リミタ回路の安定化
- 高速DRAMインタフェース用同期タイミング調整回路
- 高速DRAMインタフェース用同期タイミング調整回路
- 論理混載チップのためのDRAMマクロのモジュール化設計方式の提案
- 強誘電体キャパシタを用いたVcc/2プレート不揮発性DRAMの提案及びシミュレーションによる検証
- Vcc/2共通プレートを可能とする不揮発性強誘電体メモリの動作方式の提案
- C-12-8 低電圧出力バンドギャップ基準電圧発生回路の検討