低電圧・低電力時代の回路技術
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概要
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CMOSLSIの低電圧化・低電力化動向を、最近の回路技術開発の話題を中心に述べる。CMOS回路低電圧化の懸案であったMOSトランジスタのサブスレショルドリークに起因するDC電流を、回路的に低減する技術が提案された。回路の給電線にスイッチを挿入し、また給電線を階層化することにより、ギガスケールLSIの待機電流を3〜4桁、動作電流を1桁低減できる。また、メモリの充電容量を低減する方法や、超低電力の基準電圧発生回路なども新たに提案されている。これらは、将来の携帯機器用高集積LSIの超低電力化に道を拓くものである。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-06-24
著者
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