高速高密度RAM : PLEDM : Phase-State Low Electron-number Drive Memory
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概要
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1トランジスタの面積でDRAM並の高速性を持つゲインセルPLEDMを提案した。FLASHセルと異なるのは、情報の書き込みが3端子のトンネル・トランジスタを通して上から行われることである。このため、書き込みと読み出しを別々に最適化することができ、更に、高速書き込みと記憶保持時間の確保の相反する要求をトンネル・トランジスタのON/OFF状態により両立させることができる。DRAMから見た場合、大きなセル・キャパシタが不要となり、スケーラビリティを得ることができる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-04-13
著者
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中里 和郎
日立ケンブリッジ研究所
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伊藤 清男
日立製作所
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木須 輝明
日立超LSIエンジニアリング
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中里 和郎
日立ヨーロッパ ケンブリッジ研究所
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水田 博
日立ヨーロッパ 日立ケンブリッジ研究所
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木須 輝明
日立超lsiシステムズ
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