PLEDM用縦型積層トランジスタ
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
近年、高速および高密度RAM用新メモリPLEDM(Phase-state Low Electron-number Drive Memory)が考案された。PLEDMはスイッチングトランジスタとPLEDトランジスタ(PLEDTR)が積層されたゲインセルであり、大きなキャパシタ容量は不要である。本報告では、標準的な0.2μmプロセスを用い試作した、縦型積層トランジスタ(PLEDTR)の基本トランジスタ特性、およびそのトランジスタ特性に対する薄膜トンネル膜の効果を報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-02-09
著者
関連論文
- 単電子デバイス・回路の研究状況と今後の展望
- ファイル応用を指向した256MビットDRAMの回路技術
- 27a-P-5 境界散乱によるコリメーション効果
- 量子電子デバイスの最近のトピックス(ナノテクのトレンド)
- 単電子デバイスとともに
- 高速高密度RAM : PLEDM : Phase-State Low Electron-number Drive Memory
- PLEDM用縦型積層トランジスタ
- PLEDM用縦型積層トランジスタ
- 単電子ロジック素子 (特集 量子化機能素子プロジェクト)
- 6. 夢のメモリデバイス 6-2 単電子メモリ (大規模データ処理を支えるエレクトロニクス : マルチメディア世界の到来に向けて)
- シングルエレクトロンデバイス