PLEDM用縦型積層トランジスタ
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概要
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近年、高速および高密度RAM用新メモリPLEDM(Phase-state Low Electron-number Drive Memory)が考案された。PLEDMはスイッチングトランジスタとPLEDMトランジスタ(PLEDTR)が積層されたゲインセルであり、大きなキャパシタ容量は不要である。本報告では、標準的な0.2μmプロセスを用い試作した、縦型積層トランジスタ(PLEDTR)の基本トランジスタ特性、およびそのトランジスタ特性に対する薄膜トンネル膜の効果を報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-02-09
著者
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