秋山 悟 | 日立製作所・中央研究所

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概要

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関連著者

• 秋山 悟

  日立製作所・中央研究所

• 秋山 悟

  (株)日立製作所中央研究所

• 渡部 隆夫

  日立中央研究所

• 渡部 隆夫

  (株)日立製作所中央研究所

• 渡部 隆夫

  日立製作所中央研究所 ソリューションlsi研究センタulsi研究部

• 渡部 隆夫

  (株)日立製作所 中央研究所

• 渡部 隆夫

  (株)日立製作所

• 竹村 理一郎

  (株)日立製作所中央研究所

• 関口 知紀

  株式会社日立製作所中央研究所

• 関口 知紀

  (株)日立製作所中央研究所

• 三浦 誓士

  日立製作所 中央研究所

• 大平 信裕

  (株)日立超LSIシステムズ先端技術開発部

• 石川 剛

  (株)日立製作所中央研究所

• 伊藤 清男

  (株)日立製作所中央研究所

• 梶谷 一彦

  エルピーダメモリ(株)開発センター

• 梶谷 一彦

  日立製作所デバイス開発センタ

• 伊藤 清男

  株式会社日立製作所中央研究所

• 河原 尊之

  (株)日立製作所中央研究所

• 半澤 悟

  日立製作所中央研究所

• 久本 大

  (株)日立製作所中央研究所

• 大平 信裕

  (株)日立超lsiシステムズ

• 梶谷 一彦

  エルピーダ

• 関口 知紀

  (株)日立製作所システム開発研究所

• 一法師 隆志

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 岩松 俊明

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 石井 智之

  日立

• 石井 智之

  (株)日立製作所中央研究所

• 峰 利之

  (株)日立製作所中央研究所

• 柳沢 一正

  (株)ルネサステクノロジ

• 秋山 悟

  株式会社日立製作所中央研究所

• 竹村 理一郎

  株式会社日立製作所中央研究所

• 半澤 悟

  (株)日立製作所中央研究所

• 亀代 典史

  (株)日立製作所中央研究所

• 佐野 俊明

  (株)ルネサス北日本セミコンダクタ

• 伊部 英史

  (株)日立製作所中央研究所

• 高橋 保彦

  (株)ルネサステクノロジ

• 岩松 俊明

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 石井 智之

  日立製作所中央研究所

• 石井 智之

  神奈川工科大学情報学部

• 峰 利之

  日立製作所中央研究所

• 一法師 隆志

  (株)ルネサステクノロジ

• 杉林 直彦

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 日高 秀人

  ルネサステクノロジ・マイコン事業部

• 杉林 直彦

  日本電気・デバイスプラットフォーム研究所

• 日高 秀人

  ルネサステクノロジー株式会社マイコン統括本部

• 山岡 雅直

  日立製作所・中央研究所

• 宮野 信冶

  東芝・セミコンダクター社・半導体研究開発センター

• 川嶋 将一郎

  富士通マイクロエレクトロニクス・システムマイクロ事業部

• 尾坂 匡隆

  パナソニック・戦略半導体開発センター

• 小田部 晃

  株式会社日立製作所中央研究所

• 河原 尊之

  株式会社日立製作所中央研究所

• 半澤 悟

  株式会社日立製作所 中央研究所

• 川嶋 将一郎

  富士通マイクロエレクトロニクス株式会社システムマイクロ事業部

• 杉林 直彦

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 小田部 晃

  (株)日立製作所中央研究所

• 山岡 雅直

  日立製作所中央研究所

• 山岡 雅直

  (株)日立製作所中央研究所

• 山岡 雅直

  日立製作所 中央研究所

• 半澤 悟

  株式会社日立製作所

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著作論文

• ロジックプロセス互換型SESOメモリセルによる低ソフトエラー(0.1FIT/Mb)、高速動作(100MHz)、長リテンション(100ms)の実現(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 低電圧システム向けに有望なメモリ技術は何か?(メモリ技術)
• 大容量DRAMの技術動向とサブ1-V DRAM動作低しきい値高感度アンプ動的制御方式(メモリ技術)
• 0.4V高速動作、長リテンション時間を実現する12F^2ツインセルDRAMアレー(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
• ギガビット時代のDRAM設計における統計的手法導入の提案(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般, ISSCC特集2 DRAM)
• 0.4V高速動作、長リテンション時間を実現する12F^2ツインセルDRAMアレー(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
• ロジックプロセス互換型SESOメモリセルによる低ソフトエラー(0.1FIT/Mb)、高速動作(100MHz)、長リテンション(100ms)の実現(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• C-12-23 アンブレラセル : 高集積性・低電圧動作を同時に実現する SOC 向けオンチップメモリセル
• アンブレラセル : SOC向け高集積オンチップメモリセル(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
• アンブレラセル : SOC向け高集積オンチップメモリセル(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
• キャッシュ内蔵SDRAMのレイテンシを短縮できるメモリコントローラの提案(プロセッサ, DSP, 画像処理技術及び一般)
• キャッシュ内蔵SDRAMのレイテンシを短縮できるメモリコントローラの提案(プロセッサ, DSP, 画像処理技術及び一般)
• キャッシュ内蔵SDRAMのレイテンシを短縮できるメモリコントローラの提案(プロセッサ, DSP, 画像処理技術及び一般)
• キャッシュ内蔵SDRAMのレイテンシを短縮できるメモリコントローラの提案(プロセッサ, DSP, 画像処理技術及び一般)

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