山岡 雅直 | 日立製作所 中央研究所
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
山岡 雅直
日立製作所・中央研究所
-
山岡 雅直
日立製作所 中央研究所
-
山岡 雅直
日立製作所中央研究所
-
山岡 雅直
(株)日立製作所中央研究所
-
稲葉 聡
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
高柳 万里子
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
道関 隆国
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
野村 昌弘
Necエレクトロニクス(株)lsi基礎開発研究所
-
野村 昌弘
Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所
-
平本 俊郎
東京大学生産技術研究所
-
竹内 潔
MIRAI-Selete
-
有本 和民
ルネサステクノロジ
-
榎本 忠儀
中央大学理工学部
-
平本 俊郎
東京大学生産技術研究所:mirai-selete
-
川澄 篤
株式会社東芝
-
川澄 篤
東芝セミコンダクター社
-
前川 繁登
三菱電機株式会社LSI研究所
-
稲葉 聡
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
稲葉 聡
(株)東芝セミコンダクター社
-
一法師 隆志
ルネサステクノロジ 先端デバイス開発部
-
一法師 隆志
ルネサステクノロジ
-
前川 繁登
ルネサステクノロジ
-
前川 繁登
ルネサス
-
高柳 万里子
東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター
-
入江 直彦
日立製作所中央研究所
-
三本杉 安弘
(株)富士通研究所
-
道関 隆国
Ntt マイクロシステムインテグレーション研
-
石橋 孝一郎
(株)ルネサステクノロジ 製品技術本部設計基盤技術開発部
-
石橋 孝一郎
(株)ルネサステクノロジ
-
濱田 基嗣
東芝セミコンダクター社
-
野田 研二
NSCore
-
三本杉 安弘
富士通研究所
-
竹内 潔
日本電気システムデバイス研究所
-
入江 直彦
(株)日立製作所中央研究所
-
竹内 潔
NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所
-
大塚 文雄
SELETE
-
榎本 忠儀
中央大学理工学研究所
-
榎本 忠儀
中央大学理工学部 情報工学科
-
稲葉 聡
MIRAI-Selete
-
井田 次郎
沖電気工業株式会社
-
濱田 基嗣
東芝 Soc研究開発セ
-
濱田 基嗣
東芝セミコンダクター社soc研究開発センター
-
道関 隆国
Ntt
-
Hiramoto Toshiro
The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:vlsi Design And Education Center The Uni
-
Hiramoto Toshiro
Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
-
Hiramoto Toshiro
Vlsi Design And Education Center University Of Tokyo
-
吉見 信
SOITEC Asia
-
三木 和彦
東芝
-
井田 次郎
沖電気研究本部デバイス研究開発部
-
野村 昌弘
Nec
-
Hiramoto Toshiro
Vlsi Design And Education Center The University Of Tokyo
-
井田 次郎
沖電気
-
吉見 信
東芝 Soc研開セ
-
高柳 万里子
東芝
-
入江 直彦
日立製作所 中央研究所
-
川澄 篤
東芝セミコンダクター&ストレージ社半導体研究開発センター先端ワイヤレス・アナログ技術開発部
-
杉林 直彦
NECデバイスプラットフォーム研究所
-
島崎 靖久
(株)ルネサステクノロジ
-
榎本 忠儀
中央大学大学院理工学研究科情報工学専攻
-
日高 秀人
ルネサステクノロジ・マイコン事業部
-
杉林 直彦
日本電気・デバイスプラットフォーム研究所
-
日高 秀人
ルネサステクノロジー株式会社マイコン統括本部
-
宮野 信冶
東芝・セミコンダクター社・半導体研究開発センター
-
秋山 悟
日立製作所・中央研究所
-
川嶋 将一郎
富士通マイクロエレクトロニクス・システムマイクロ事業部
-
尾坂 匡隆
パナソニック・戦略半導体開発センター
-
鳥居 和功
日立・中研
-
長田 健一
(株)日立製作所中央研究所
-
秋山 悟
(株)日立製作所中央研究所
-
前田 徳章
株式会社ルネサステクノロジ
-
川嶋 将一郎
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社システムマイクロ事業部
-
杉林 直彦
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
長田 健一
日立製作所中央研究所
-
小松 成亘
日立製作所中央研究所
-
石橋 孝一郎
ルネサスエレクトロニクス
-
島崎 靖久
ルネサステクノロジ
-
森元 薫夫
ルネサステクノロジ
-
前田 徳章
ルネサステクノロジ
-
榎本 忠儀
中央大学 大学院 理工学研究科 情報工学専攻
-
三木 浩史
日立製作所 中央研究所
-
鳥居 和功
日立製作所 中央研究所
-
小林 正治
T. J. Watson Research Center
-
手賀 直樹
日立製作所 中央研究所
-
Frank D.
T. J. Watson Research Center
-
Bansal A.
T. J. Watson Research Center
-
Cheng K.
T. J. Watson Research Center
-
Ren Z.
T. J. Watson Research Center
-
Wu S.
SRDC, IBM Corporation
-
Yau J-B.
T. J. Watson Research Center
-
Guillorn M.
T. J. Watson Research Center
-
Park D.-G.
T. J. Watson Research Center
-
Haensch W.
T. J. Watson Research Center
-
Leobandung E.
T. J. Watson Research Center
著作論文
- 低電圧システム向けに有望なメモリ技術は何か?(メモリ技術)
- SRAM : 低電圧化とばらつきへの挑戦(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- SRAM: 低電圧化とばらつきへの挑戦(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- CMOS回路の低電圧化はどうすすめるべきか(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- CMOS回路の低電圧化はどうすすめるべきか(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 直列レプリカビット線技術を使用した40nm低電力SRAM(低電力SRAM/DRAM,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- サブ50nm時代の切り札SOI : SOIがBulkに勝てる技術はこれだ!(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- サブ50nm時代の切り札SOI : SOIがBulkに勝てる技術はこれだ!(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- ランダムテレグラフノイズ(RTN)の統計的評価手法と微細MOSFETばらつきへの影響(IEDM特集(先端CMOSテバイス・プロセス技術))