久本 大 | (株)日立製作所中央研究所
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概要
関連著者
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久本 大
(株)日立製作所中央研究所
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石川 剛
(株)日立製作所中央研究所
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久本 大
日立総合計画研究所
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大平 信裕
(株)日立超LSIシステムズ先端技術開発部
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秋山 悟
日立製作所・中央研究所
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渡部 隆夫
日立中央研究所
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木村 紳一郎
日立製作所中央研究所
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秋山 悟
(株)日立製作所中央研究所
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渡部 隆夫
(株)日立製作所中央研究所
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渡部 隆夫
日立製作所中央研究所 ソリューションlsi研究センタulsi研究部
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渡部 隆夫
(株)日立製作所 中央研究所
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大平 信裕
(株)日立超lsiシステムズ
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渡部 隆夫
(株)日立製作所
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木村 紳一郎
(株)日立製作所中央研究所
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斉藤 慎一
(株)日立製作所 中央研究所
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鳥居 和功
日立・中研
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武田 英次
日立総合計画研究所
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斎藤 慎一
(株)日立製作所中央研究所
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斎藤 慎一
日立製作所中央研究所
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田中 聡
(株)日立製作所中央研究所
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杉井 信之
(株)日立製作所中央研究所
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谷本 琢磨
(株)日立製作所中央研究所
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平谷 正彦
(株)日立製作所 中央研究所
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斎藤 慎一
(株)日立製作所 中央研究所
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島 明生
日立製作所中央研究所
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鳥居 和功
日立製作所中央研究所
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吉元 広行
日立製作所中央研究所
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平谷 正彦
Hitachi Europe Ltd. Whitebrook Park
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永井 亮
(株)日立製作所中央研究所
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梅田 一徳
(株)日立製作所中央研究所
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久本 大
日立製作所 中央研究所
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木村 神一郎
(株)日立製作所中央研究所
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斉藤 慎一
(株)日立製作所中央研究所
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島 明生
日立製作所デバイス開発センタ
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谷本 琢磨
日立製作所中央研究所
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武田 英次
日立総合計画研
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鳥居 和功
日立製作所 中央研究所
著作論文
- シリコン半導体デバイスの展望 (特集 次世代ICT社会を支える最先端デバイス製造システム)
- SPS(Self-aligned Punch-through Stopper)構造のMOSFET動作特性
- 高誘電率ゲート絶縁膜のための統一的移動度模型(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- ナノメートル世代のシリコン半導体デバイスの展望 (特集1 ナノメートル時代の最先端半導体デバイスの量産を支えるベストソリューション)
- 最近のIEDM CMOSセッションにおける地域別研究動向(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- C-12-23 アンブレラセル : 高集積性・低電圧動作を同時に実現する SOC 向けオンチップメモリセル
- 平たん構造からの飛躍:Fin型チャネルFET構造の必然性
- アンブレラセル : SOC向け高集積オンチップメモリセル(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- アンブレラセル : SOC向け高集積オンチップメモリセル(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- FD/DG-SOI MOSFETsによるスケーリング限界へのアプローチ
- 微細CM0Sの高周波分野への応用
- スティープ・サブスレショルド・スイングFETへの新しいアプローチ (シリコン材料・デバイス)
- SOC向け大容量Cu/TaO/Cu MIMキャパシタ (特集 半導体プロセス技術のイノベーション)
- α線によるソ-ス・ドレイン貫通効果
- スティープ・サブスレショルド・スイングFETへの新しいアプローチ(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))