鳥居 和功 | 日立製作所中央研究所
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概要
関連著者
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鳥居 和功
日立製作所中央研究所
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鳥居 和功
(株)半導体先端テクノロジーズ
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鳥居 和功
日立・中研
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川原 孝昭
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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川原 孝昭
(株)ルネサステクノロジ
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山田 啓作
筑波大学数理物質科学研究科
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白石 賢二
筑波大学
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山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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奈良 安雄
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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奈良 安雄
(株)富士通研究所 Ulsi研究部門
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奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ 第一研究部
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峰 利之
日立製作所 中央研究所
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峰 利之
(株)日立製作所中央研究所
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島 明生
日立製作所中央研究所
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藤崎 芳久
日立製作所中央研究所
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奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ
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峰 利之
日立製作所中央研究所
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島 明生
日立製作所デバイス開発センタ
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宮崎 誠一
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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山田 啓作
早稲田大学ナノテクノロジー研究所
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知京 豊裕
物材機構
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北島 洋
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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鳥居 和功
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構
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笹子 佳孝
(株)日立製作所 中央研究所
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笹子 佳孝
日立製作所中央研究所
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知京 豊裕
金属材料技術研究所
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木下 勝治
日立製作所中央研究所
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森川 貴博
日立製作所中央研究所
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黒土 健三
日立製作所中央研究所
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半澤 悟
日立製作所中央研究所
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守谷 浩志
日立製作所機械研究所
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高浦 則克
日立製作所中央研究所
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山部 紀久夫
筑波大学
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北島 洋
(株)半導体先端テクノロジーズ
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知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構 半導体材料センター
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宮崎 誠一
広島大学大学院
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山田 啓作
早稲田大学:筑波大学
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知京 豊裕
物質材料研究機構(NIMS)
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有門 経敏
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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堀内 淳
(株)半導体先端テクノロジーズ
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有門 経敏
(株)半導体先端テクノロジーズ
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三橋 理一郎
(株)半導体先端テクノロジーズ
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鈴木 基史
京大院工
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鈴木 基史
産業技術総合研究所
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鈴木 基史
京大
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上殿 明良
筑波大数理
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上殿 明良
筑波大学電子物理工学系
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白石 賢二
筑波大学数理物質科学研究科
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山田 啓作
物質材料研究機構(NIMS)
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樋口 恵一
筑波大学電子・物理工学専攻
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後藤 正和
筑波大学電子・物理工学専攻
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赤坂 泰志
東京エレクトロン株式会社
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中嶋 薫
京都大学大学院工
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鈴木 基史
京都大学大学院工
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木村 健二
京都大学大学院工
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石田 猛
日立製作所 中央研究所
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上殿 明良
筑波大学・物理工学系
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久米 均
日立製作所中央研究所
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趙 明
京都大学大学院工学研究科マイクロエンジニアリング専攻
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植松 真司
NTT物性科学基礎研究所
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神山 聡
(株)半導体先端テクノロジーズ
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吉元 広行
日立製作所中央研究所
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赤坂 泰志
(株)半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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白石 賢二
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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廣瀬 和之
総合研究大学院大学
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廣瀬 和之
総合研究大学院大学:宇宙科学研究本部
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山脇 師之
総合研究大学院大学
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川原 孝昭
半導体先端テクノロジーズ
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大路 洋
(株)半導体先端テクノロジーズ
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川原 孝昭
(株)半導体先端テクノロジーズ
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後藤 正和
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発セ
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神山 聡
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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植松 真司
慶応義塾大学大学院理工学研究科
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宮崎 誠一
広島大学大学院先端物質科学研究科
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上殿 明良
筑波大学物理工学系
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廣瀬 和之
宇宙科学研究所
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鈴木 良一
産総研
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大平 俊行
産総研
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上殿 明良
筑波大学数理物質科学研究科
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大平 俊行
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
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鈴木 良一
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
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山部 紀久夫
筑波大学数理物質科学研究科
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後藤 正和
筑波大学数理物質科学研究科
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樋口 恵一
筑波大学数理物質科学研究科
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池内 恒平
筑波大学数理物質科学研究科
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ABUDUL Hamid
物質材料研究機構(NIMS)
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三橋 理一郎
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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堀内 淳
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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蓮沼 隆
筑波大学電子・物理工学専攻
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山部 紀久夫
筑波大学電子・物理工学専攻
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大毛利 健治
物質・材料研究機構 半導体材料センター
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AHMET P.
物質・材料研究機構 半導体材料センター
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GREEN M.
National Institute for Standards and Technology
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知京 豊裕
物質・材料研究機構 半導体材料センター
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山田 廉一
東大理
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中嶋 薫
京大工
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木村 健二
京大工
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松木 武雄
半導体先端テクノロジーズ(selete)
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大田 晃生
広島大学大学院先端物質科学研究科
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杉井 信之
(株)日立製作所中央研究所
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角嶋 邦之
東工大総理工
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岩井 洋
東工大フロンティア研
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宮崎 誠一
広大院先端研
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木村 勝高
(株)日立製作所中央研究所
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中嶋 薫
京大院工
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木村 健二
京大院工
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服部 健雄
武蔵工業大学工学部
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木村 健二
京大 大学院工学研究科
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杉井 信之
日立製作所・中央研究所
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鈴木 良一
産業技術総合研究所
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中山 恒義
北大院工
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岩井 洋
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
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中川 博
広島大学大学院先端物質科学研究科
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斉藤 慎一
(株)日立製作所 中央研究所
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舘 喜一
東京工大フロンティア創造共同研究センター
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角嶋 邦之
東京工大フロンティア創造共同研究センター
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岩井 洋
東京工大フロンティア創造共同研究センター
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梶谷 一彦
日立製作所デバイス開発センタ
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白石 賢二
筑波大学物理学系
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糸賀 敏彦
(株)日立製作所 中央研究所
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横山 夏樹
日立製作所中央研究所
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松木 武雄
(株)半導体先端テクノロジーズ
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服部 健雄
東北大学未来科学技術共同研究センター
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関口 知紀
株式会社日立製作所中央研究所
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土屋 龍太
日立製作所中央研究所
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石垣 隆士
日立製作所中央研究所
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森田 祐介
日立製作所中央研究所
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木村 紳一郎
日立製作所中央研究所
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渡部 平司
大阪大学大学院工学研究科
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横山 夏樹
日立製作所 中央研究所
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阪田 健
日立製作所中央研究所
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関口 知紀
日立製作所中央研究所
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加賀 徹
日立製作所中央研究所
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石垣 隆士
(株)日立製作所中央研究所
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蓮沼 隆
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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茂庭 昌弘
(株)ルネサステクノロジ
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木村 紳一郎
日立製作所中央研究所ulsi研究部
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山田 廉一
日立製作所・中央研究所
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犬宮 誠治
(株)半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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大塚 文雄
(株)半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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中山 隆史
千葉大学理学部
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中岡 高司
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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中村 源治
(株)半導体先端テクノロジーズ
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太田 晃生
広島大学大学院先端物質科学研究科
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濱村 浩孝
日立製作所中央研究所
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庄司 健一
日立製作所 中央研究所
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川上 博士
日立製作所 中央研究所
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組橋 孝生
日立製作所 中央研究所
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糸賀 敏彦
日立製作所 中央研究所
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茂庭 昌弘
日立製作所 中央研究所
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藤澤 宏樹
日立製作所デバイス開発センタ
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木村 勝高
日立製作所中央研究所
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中嶋 薫
京大 大学院工学研究科
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山部 紀久夫
筑波大学大学院 数理物質科学研究科 電子・物理工学専攻学際物質科学研究センター
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山部 紀久夫
筑波大学物理工学系
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Boero M.
筑波大学物理学系
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服部 健雄
東京工業大学フロンティア研究機構
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服部 健雄
武蔵工業大学シリコンナノ科学研究センター
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阪田 健
(株)日立製作所中央研究所
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坂田 健
(株)日立製作所 中央研究所
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土屋 龍太
(株)日立製作所中央研究所
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森田 祐介
(株)日立製作所中央研究所
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久本 大
(株)日立製作所中央研究所
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中山 隆史
千葉大
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中山 隆史
千葉大学
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中山 隆史
千葉大学理学研究科基盤理学専攻
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知京 豊裕
物質・材料研究機構
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鈴木 伸子
総合研究大学院大学
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武藤 彰良
(株)半導体先端テクノロジーズ
-
廣瀬 和之
JAXS宇宙科学研究本部
-
川尻 智司
武蔵工業大学工学研究科
-
大田 晃生
広島大・先端物質科学研究科
-
中川 博
広島大・先端物質科学研究科
-
村上 秀樹
広島大・先端物質科学研究科
-
東 清一郎
広島大・先端物質科学研究科
-
宮崎 誠一
広島大・先端物質科学研究科
-
大毛利 健治
早稲田大学ナノ理工学研究機構
-
関口 知紀
(株)日立製作所中央研究所
-
犬宮 誠治
(株)半導体先端テクノロジーズ
-
岩井 洋
東京工業大学フロンティア研究機構
-
Green M.
National Institute Of Standards And Technology
-
大平 俊行
産業総合技術研究所計測フロンティア研究部門
-
川原 孝明
(株)半導体先端テクノロジーズ high-κ 要素プロセスグループ
-
高田 仁志
(株)半導体先端テクノロジーズ high-κ 要素プロセスグループ
-
高橋 正志
(株)半導体先端テクノロジーズ high-κ 要素プロセスグループ
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武田 英次
日立総合計画研究所
-
斎藤 慎一
(株)日立製作所中央研究所
-
AHMET P.
Tokyo Institute of Technology
-
岩井 洋
(株)東芝研究開発センターulsi研究所
-
Ahmet P.
物質・材料研究機構
-
加賀 徹
日立製作所 中央研究所
-
大毛利 健治
早稲田大学ナノ理工学研究機構ナノテクノロジー研究所
-
中山 隆史
干葉大理
-
大平 俊行
産業技術総合研究所
-
久本 大
日立総合計画研究所
-
斎藤 慎一
日立製作所中央研究所
-
武田 英次
日立総合計画研
-
中山 隆史
千葉大学理学研究料
-
服部 健雄
東京工大 フロンティア研究機構
著作論文
- 低速陽電子ビームを用いた high-κ 膜の空隙評価
- HfAlOxゲート絶縁膜をもつMOSキャパシタの過渡的電気特性(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 低接触抵抗のポリシリコン選択ダイオードを用いた相変化メモリの低コスト化技術(固体メモリおよび一般)
- 低接触抵抗のポリシリコン選択ダイオードを用いた相変化メモリの低コスト化技術(固体メモリ及び一般)
- シリコンとhigh-kゲート絶縁膜の界面の高分解能RBS/ERD分析(シリコン関連材料の作製と評価)
- 酸素雰囲気アニール中のHfO_2/SiO_2/Si(001)界面反応の高分解能RBS観察(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 低接触抵抗ポリSiダイオード駆動の4F^2クロスポイント型相変化メモリ(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- 低不純物濃度チャネルで統計ゆらぎの小さい薄膜BOX-SOI(SOTB)のV_ばらつき解析(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 高電子移動度0.9nm-EOT TaSix/HfSiONゲートスタックの形成(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 金属/Hf系高誘電率絶縁膜界面の統一理論 : ゲート金属の設計指針(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- Si_3N_4/Si-rich Nitride(SRN)/Si_3N_4積層膜の電子捕獲特性(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 一括加工による強誘電体キャパシタの形成とその特性
- 不揮発DRAM用高耐性・低電力回路技術
- Hf系絶縁膜中の水素原子の原子レベルの挙動の理論的研究 : ホールを起源とした絶縁破壊のメカニズム(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- HfO_2系high-kゲート絶縁膜信頼性劣化の物理モデル(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- MONOS型不揮発メモリーの電子および正孔トラップ解析(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- XPS/AESによるHfSiOx薄膜の光学的誘電率の推定(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- 重水を用いた原子層成長技術によるHigh-kゲート絶縁膜への重水素添加
- polySi/HfAlOx/SiONゲートスタックの経時絶縁破壊(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- XPS時間依存測定法によるHfAlOx薄膜中の電荷捕獲現象の評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 光電子分光分析によるHfAlOx/Si(100)系スタック構造における界面反応評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- HfAlO_x/下地膜界面反応抑制の検討
- 低接触抵抗ポリSiダイオード駆動の4F^2クロスポイント型相変化メモリ(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- 研究紹介 HfO2系high-kゲート絶縁膜の信頼性劣化機構モデル
- 65nmノード向けHigh-kゲート絶縁膜技術 (特集 半導体プロセス技術のイノベーション)
- スティープ・サブスレショルド・スイングFETへの新しいアプローチ(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))