武田 英次 | 日立総合計画研究所

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• 久本 大

  (株)日立製作所中央研究所

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  (株)日立製作所 中央研究所

• 島 明生

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• 鳥居 和功

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著作論文

• 微細MOSFETの高電界効果と素子構造 : 信頼性物理の研究
• α線によるソ-ス・ドレイン貫通効果
• スティープ・サブスレショルド・スイングFETへの新しいアプローチ(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

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