鳥居 和功 | 日立製作所 中央研究所
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概要
関連著者
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鳥居 和功
日立製作所 中央研究所
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鳥居 和功
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高浦 則克
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石田 猛
日立製作所 中央研究所
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久米 均
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吉元 広行
日立製作所中央研究所
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石田 猛
日立製作所・中央研究所
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杉井 信之
(株)日立製作所中央研究所
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木村 勝高
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杉井 信之
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斉藤 慎一
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山岡 雅直
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横山 夏樹
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土屋 龍太
日立製作所中央研究所
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石垣 隆士
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森田 祐介
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木村 紳一郎
日立製作所中央研究所
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横山 夏樹
日立製作所 中央研究所
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日立製作所中央研究所
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関口 知紀
日立製作所中央研究所
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加賀 徹
日立製作所中央研究所
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石垣 隆士
(株)日立製作所中央研究所
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茂庭 昌弘
(株)ルネサステクノロジ
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木村 紳一郎
日立製作所中央研究所ulsi研究部
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山田 廉一
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濱村 浩孝
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庄司 健一
日立製作所 中央研究所
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川上 博士
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組橋 孝生
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糸賀 敏彦
日立製作所 中央研究所
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茂庭 昌弘
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藤澤 宏樹
日立製作所デバイス開発センタ
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木村 勝高
日立製作所中央研究所
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阪田 健
(株)日立製作所中央研究所
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土屋 龍太
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白石 賢二
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山岡 雅直
日立製作所 中央研究所
著作論文
- 低接触抵抗のポリシリコン選択ダイオードを用いた相変化メモリの低コスト化技術(固体メモリおよび一般)
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- 低接触抵抗ポリSiダイオード駆動の4F^2クロスポイント型相変化メモリ(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- 低不純物濃度チャネルで統計ゆらぎの小さい薄膜BOX-SOI(SOTB)のV_ばらつき解析(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- Si_3N_4/Si-rich Nitride(SRN)/Si_3N_4積層膜の電子捕獲特性(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 一括加工による強誘電体キャパシタの形成とその特性
- 不揮発DRAM用高耐性・低電力回路技術
- MONOS型不揮発メモリーの電子および正孔トラップ解析(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 低接触抵抗ポリSiダイオード駆動の4F^2クロスポイント型相変化メモリ(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- スティープ・サブスレショルド・スイングFETへの新しいアプローチ(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- ランダムテレグラフノイズ(RTN)の統計的評価手法と微細MOSFETばらつきへの影響(IEDM特集(先端CMOSテバイス・プロセス技術))