笹子 佳孝 | 日立製作所中央研究所

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概要

• 同名の論文著者
• 日立製作所中央研究所の論文著者

関連著者

• 笹子 佳孝

  日立製作所中央研究所

• 笹子 佳孝

  (株)日立製作所 中央研究所

• 木下 勝治

  日立製作所中央研究所

• 小林 孝

  (株)日立製作所中央研究所

• 峰 利之

  日立製作所 中央研究所

• 峰 利之

  (株)日立製作所中央研究所

• 峰 利之

  日立製作所中央研究所

• 島 明生

  日立製作所デバイス開発センタ

• 峯邑 浩行

  (株)日立製作所中央研究所

• 倉田 英明

  (株)日立製作所 中央研究所

• 島 明生

  日立製作所中央研究所

• 倉田 英明

  (株)日立製作所

• 黒土 健三

  日立製作所中央研究所

• 大津賀 一雄

  (株)日立製作所 中央研究所

• 有金 剛

  (株)日立製作所中央研究所

• 有金 剛

  日立 中研

• 田井 光春

  日立製作所

• 田井 光春

  (株)日立製作所中央研究所

• 藤崎 芳久

  日立製作所中央研究所

• 峯邑 浩行

  日立製作所中央研究所

• 小林 孝

  日立製作所中央研究所

• 安齋 由美子

  日立製作所中央研究所

• 高濱 高

  日立製作所中央研究所

• 森本 忠雄

  日立製作所中央研究所

• 田井 光春

  日立製作所中央研究所

• 峯邑 浩行

  株式会社日立製作所中央研究所

• 土屋 修

  ルネサステクノロジ

• 小堺 健司

  (株)ルネサステクノロジ

• 野田 敏史

  (株)ルネサステクノロジ

• 河村 哲史

  (株)日立製作所中央研究所

• 久米 均

  日立製作所中央研究所

• 峯邑 浩行

  日立製作所研究開発本部ストレージ・テクノロジ研究センタ

• 森川 貴博

  日立製作所中央研究所

• 半澤 悟

  日立製作所中央研究所

• 守谷 浩志

  日立製作所機械研究所

• 高浦 則克

  日立製作所中央研究所

• 鳥居 和功

  日立製作所中央研究所

• 鳥居 和功

  日立・中研

• 高橋 俊和

  日立製作所中央研究所

• 森田 精一

  日立製作所中央研究所

• 鳥居 和功

  日立製作所 中央研究所

• 清水 雅裕

  (株)ルネサステクノロジ

• 久米 均

  (株)日立製作所中央研究所

• 池田 良広

  (株)ルネサステクノロジ

• 土屋 修

  (株)ルネサステクノロジ

• 古沢 和則

  (株)ルネサステクノロジ

• 小田部 晃

  (株)日立製作所 中央研究所

• 梶山 新也

  (株)日立製作所 中央研究所

• 長部 太郎

  (株)日立製作所 中央研究所

• 鳴海 俊一

  ルネサステクノロジ

• 冨上 健司

  ルネサステクノロジ

• 蒲原 史朗

  ルネサステクノロジ

• 佐藤 聡彦

  (株)ルネサステクノロジ

• 佐伯 俊一

  日立デバイスエンジニアリング(株)

• 後藤 康

  (株)日立製作所中央研究所

• 蒲原 史朗

  (株)ルネサステクノロジ

• 後藤 康

  (株)日立製作所 中央研究所

• 小田部 晃

  (株)日立製作所中央研究所

• 草場 壽一

  日立製作所中央研究所

• 與名本 欣樹

  日立製作所横浜研究所

• 本間 和樹

  (株)ルネサステクノロジ

• 伊藤 輝彦

  (株)ルネサステクノロジ

• 蒲原 史郎

  (株)日立製作所半導体グループ

• 奥山 裕

  (株)日立製作所中央研究所

• 木村 勝高

  (株)日立製作所中央研究所

• 奥山 裕

  日立製作所・中央研究所

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著作論文

• 多値フラッシュメモリのスケーリングにおけるランダム・テレグラフ・シグナルの影響(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• AG-ANDフラッシュメモリにおける多値高速書込み技術 : 多値レベルに応じて最適容量を選択する改良型定電荷注入書込み方式(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
• 多値高速書込み性能10MB/sを実現する4ギガビットAG-ANDフラッシュメモリ(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般, ISSCC特集3 不揮発性メモリ)
• 4Gb AG-ANDフラッシュメモリにおいて16MB/sを実現する多値高速書込み技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
• 10MB/s多値高速書込み実現のための1Gb AG-AND型フラッシュメモリセルデバイス技術(MRAM,不揮発メモリ,メモリ,一般)
• コンテンツ配信用ギガスケールAG-AND型フラッシュメモリセル
• 低接触抵抗のポリシリコン選択ダイオードを用いた相変化メモリの低コスト化技術(固体メモリおよび一般)
• 低接触抵抗のポリシリコン選択ダイオードを用いた相変化メモリの低コスト化技術(固体メモリ及び一般)
• 低接触抵抗ポリSiダイオード駆動の4F^2クロスポイント型相変化メモリ(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
• AG-ANDフラッシュメモリにおける多値高速書込み技術 : 多値レベルに応じて最適容量を選択する改良型定電荷注入書込み方式(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
• 4Gb AG-ANDフラッシュメモリにおいて16MB/sを実現する多値高速書込み技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
• 多値フラッシュメモリのスケーリングにおけるランダム・テレグラフ・シグナルの影響(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• 低接触抵抗ポリSiダイオード駆動の4F^2クロスポイント型相変化メモリ(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
• 低コストと高速データ転送を実現するポリSi MOSトランジスタ駆動の相変化メモリ(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 低コストと高速データ転送を実現するポリSi MOSトランジスタ駆動の相変化メモリ(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 招待講演 3次元積層を可能にするPoly-Siトランジスタ駆動の相変化メモリ (シリコン材料・デバイス)
• 4Fのポリシリダイオードで駆動する微細化に優れた3Dチェインセル型相変化メモリ (集積回路)
• 4Fのポリシリダイオードで駆動する微細化に優れた3Dチェインセル型相変化メモリ (シリコン材料・デバイス)
• 3次元積層を可能にするPoly-Siトランジスタ駆動の相変化メモリ(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 3次元積層を可能にする Poly-Si トランジスタ駆動の相変化メモリ
• 4F^2のポリシリコンダイオードで駆動する微細化に優れた3Dチェインセル型相変化メモリ(不揮発メモリ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 4F^2のポリシリコンダイオードで駆動する微細化に優れた3Dチェインセル型相変化メモリ(不揮発メモリ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)

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