3次元積層を可能にするPoly-Siトランジスタ駆動の相変化メモリ(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
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概要
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ポリシリコントランジスタ駆動の相変化メモリを作製した。チャネルシリコン上に相変化材料を直接成膜したメモリセル構造により、リセット電流を45μAまで低減できた。開発した相変化メモリは、si基板上の選択デバイスではなくポリシリコントランジスタを選択デバイスに用いているため3次元積層が可能である。メモリセルごとのコンタクト孔が無いのでメモリセルサイズを4F^2に縮小できる上、必要なプロセス工程数も少ないので低コスト化に適している。リセット電流が45μAと低いため並列書込みによるデータ転送速度向上に適している。開発した3次元積層可能な相変化メモリによって低ビットコスト化とギガバイト/秒の高速データ転送が実現可能になる。
- 2011-11-03
著者
-
峯邑 浩行
(株)日立製作所中央研究所
-
笹子 佳孝
日立製作所中央研究所
-
小林 孝
(株)日立製作所中央研究所
-
田井 光春
日立製作所
-
田井 光春
(株)日立製作所中央研究所
-
峰 利之
日立製作所 中央研究所
-
峰 利之
(株)日立製作所中央研究所
-
木下 勝治
日立製作所中央研究所
-
黒土 健三
日立製作所中央研究所
-
島 明生
日立製作所中央研究所
-
峯邑 浩行
日立製作所中央研究所
-
峰 利之
日立製作所中央研究所
-
島 明生
日立製作所デバイス開発センタ
-
峯邑 浩行
日立製作所研究開発本部ストレージ・テクノロジ研究センタ
-
小林 孝
日立製作所中央研究所
-
高橋 俊和
日立製作所中央研究所
-
安齋 由美子
日立製作所中央研究所
-
森田 精一
日立製作所中央研究所
-
高濱 高
日立製作所中央研究所
-
森本 忠雄
日立製作所中央研究所
-
田井 光春
日立製作所中央研究所
-
峯邑 浩行
株式会社日立製作所中央研究所
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