Si系薄膜光センサデバイス(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
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概要
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ディスプレイへの機能付加を目的として,薄膜トランジスタの光誘起電流特性を調べ,光センサ素子としての適用可能性を検討した.a-Si TFTとpoly-Si TFTの光誘起電流を評価し,同程度の素子スケールでは,出力値はpoly-Si TFTの方が20倍以上高くなる一方で,S/N比はa-Si TFTの方が30倍程度良好であることが判った.また相対感度の波長依存性から,a-Si TFTの方が,標準比視感度に対する整合性が良いことが判った.加えてpoly-Si TFTのS/N比向上を目的として,オフセット構造TFTを検討し,S/N比を約6倍改善することで,poly-Si PIN型ダイオードに近い出力特性が得られることを確認した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-04-11
著者
-
波多野 睦子
日立製作所 中央研究所
-
波多野 睦子
日立製作所
-
田井 光春
日立製作所
-
昆野 康隆
日立製作所
-
宮沢 敏夫
日立ディスプレイズ
-
宮沢 敏夫
日立 ディスプレイグループ
-
波多野 睦子
(株)日立製作所 中央研究所
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