SiO_2基板上の非晶質Si/Ge積層構造におけるGe拡散と結晶化過程
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概要
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石英基板(SiO_2)上の非晶質Si/Ge積層構造における固相結晶成長過程を透過型電子顕微鏡を用いて調べた。その結果、Si層の間にGe層を配置したSandwich構造では従来のSiGe混晶と同じ結晶化の振舞を示したがSiO_2とSi層の間にGe層を配置したBottom構造では全く異なる結晶化過程を示した。このような結晶化過程の大きな差は積層構造の違いによるGe拡散の違いに起因すると考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-04-13
著者
-
杉井 信之
(株)日立製作所中央研究所
-
波多野 睦子
日立製作所 中央研究所
-
波多野 睦子
日立製作所
-
山口 伸也
日立製作所中央研究所
-
朴 成基
日立製作所中央研究所
-
杉井 信之
日立製作所・中央研究所
-
波多野 睦子
(株)日立製作所 中央研究所
-
朴 成基
日立製作所・中央研究所
-
山口 伸也
日立製作所・中央研究所
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