朴 成基 | 日立製作所中央研究所
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概要
関連著者
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朴 成基
日立製作所中央研究所
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山口 伸也
日立製作所中央研究所
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朴 成基
日立製作所・中央研究所
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山口 伸也
日立製作所・中央研究所
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波多野 睦子
日立製作所 中央研究所
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波多野 睦子
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波多野 睦子
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十倉 好紀
東大・工
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杉井 信之
(株)日立製作所中央研究所
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朴 成基
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田井 光春
(株)日立製作所中央研究所
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芝 健夫
(株)日立製作所中央研究所
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芝 健夫
日立製作所中央研究所
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日立製作所・中央研究所
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日立製作所中央研究所
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山口 伸也
東大工
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十倉 好紀
東大工
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十倉 好紀
東大・理
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十倉 好紀
東大工:産総研cerc:erato-mf
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有馬 孝尚
東大・理
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石川 忠彦
東大・工
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沖本 洋一
東大・理
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朴 成基
東大・理
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十倉 好紀
産総研:東大工
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宮尾 正信
九州大学・大学院システム情報科学研究院・電子デバイス工学専攻
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大原 泰明
東大物性研
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吉沢 英樹
東大物性研
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久保田 正人
高エ研
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大原 泰洋
東大物性研
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勝藤 拓郎
東大・理
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久保田 正人
東大物性研
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中川 清和
日立製作所中央研究所
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宮尾 正信
日立製作所中央研究所
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朴 成基
東大.工
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山口 伸也
東大.工
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勝藤 拓郎
東大.工
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有馬 孝尚
東大.工
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十倉 好紀
東大.工
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山口 伸也
東大・理
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藤勝 拓郎
東大・理
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梶本 亮一
東大物性研
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佐道 泰造
九州大学・大学院システム情報科学研究院・電子デバイス工学専攻
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佐藤 泰造
九州大学・大学院システム情報科学研究院・電子デバイス工学専攻
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朴 成基
東大工
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石川 忠彦
東大・理
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波多野 睦子
日立製作所・中央研究所
著作論文
- 7a-W-13 ペロブスカイト型R_Sr_xFeO_3(x=2/3 ; R=La, Pr, Nd, Sm, Gd)の電荷整列相転移
- パルス変調CWレーザ結晶化(SELAX)法による高移動度低温ポリSi-TFT(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術)
- パルス変調CWレーザ結晶化(SELAX)法による高移動度低温ポリSi-TFT(有機ELとTFT(シリコン,化合物,有機)及びディスプレイ技術)
- SiO_2基板上の非晶質Si/Ge積層構造におけるGe拡散と結晶化過程
- パルス変調CWレーザ結晶化(SELAX)法による高移動度低温ポリSi-TFT(有機ELとTFT(シリコン,化合物,有機)及びディスプレイ技術)
- SiO_2基板上の非晶質Si/Ge積層構造におけるGe拡散と結晶化過程
- SiGe固相成長による原子層レベル急峻ヘテロ界面の形成
- La_Sr_xFeO_3の金属-絶縁体転移
- 5a-YD-9 La_Sr_xFeO_3の電子構造変化
- a-Si_Ge_Xの低温固相成長と次世代TFT
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- 25aYT-7 Nd_Sr_FeO_3の電荷・スピン秩序
- 28a-YF-15 R_Sr_FeO_3(R=La,Pr,Nd,Sm,Gd)系における電荷整列相転移;光学スペクトル
- Fe_3O_4結晶のVerwey転移と光スペクトル
- 28a-K-6 La_Sr_xFeO_3における電荷分離ギャップ形成