芝 健夫 | (株)日立製作所中央研究所
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
芝 健夫
(株)日立製作所中央研究所
-
波多野 睦子
日立製作所
-
田井 光春
(株)日立製作所中央研究所
-
波多野 睦子
(株)日立製作所 中央研究所
-
田井 光春
日立製作所中央研究所
-
玉置 洋一
(株)日立製作所デバイス開発センタ
-
芝 健夫
日立製作所中央研究所
-
菊池 俊之
(株)日立製作所デバイス開発センタ
-
島本 裕巳
日立デバイス
-
島本 裕巳
ルネサス北日本セミコンダクタ
-
波多野 睦子
日立製作所 中央研究所
-
田井 光春
日立製作所
-
山口 伸也
日立製作所中央研究所
-
朴 成基
日立製作所中央研究所
-
菊池 俊之
(株)日立国際電気
-
朴 成基
日立製作所・中央研究所
-
山口 伸也
日立製作所・中央研究所
-
大倉 理
(株)日立製作所 中央研究所
-
豊田 善章
(株)日立製作所 中央研究所
-
内野 俊
(株)日立製作所中央研究所
-
和田 真一郎
(株)日立製作所 マイクロデバイス事業部
-
安藤 正彦
日立ケンブリッジ研究所
-
鎌田 俊英
筑波大院
-
鎌田 俊英
産業技術総合研究所光技術研究部門
-
後藤 康
(株)日立製作所中央研究所
-
波多野 睦子
(株)日立製作所
-
GRIGOROPOULOS Costa
Department of Mechanical Engineering, University of California
-
菊池 俊之
日立製作所 デバイス開発センタ
-
和田 慎一郎
日立製作所 デバイス開発センタ
-
玉置 洋一
日立製作所 デバイス開発センタ
-
後藤 康
(株)日立製作所 中央研究所
-
糸賀 敏彦
(株)日立製作所 中央研究所
-
栗谷川 武
(株)日立製作所 中央研究所
-
橋本 尚
(株)日立製作所 マイクロデバイス事業部
-
大西 和博
(株)日立製作所中央研究所
-
大西 和博
(株)日立製作所
-
Grigoropoulos Costa
Department Of Mechanical Engineering University Of California
-
植村 聖
産業技術総合研究所光技術研究部門
-
川崎 昌宏
(株)日立製作所中央研究所
-
今関 周治
(株)日立製作所中央研究所
-
廣田 昇一
(株)日立製作所材料研究所
-
新井 唯
(株)日立製作所中央研究所
-
夏目 穣
旭化成(株)
-
南方 尚
旭化成(株)
-
植村 聖
独立行政法人産業技術研究所
-
鎌田 俊英
独立行政法人産業技術研究所
-
今関 周治
(株)日立製作所
-
清田 幸弘
日立
-
廣田 昇一
(株)日立製作所 材料研究所
-
廣田 昇一
(株)日立製作所日立研究所
-
宮内 昭浩
(株)日立製作所日立研究所
-
内野 俊
日立製作所中央研究所
-
渡辺 篤雄
日立製作所デバイス開発センタ
-
清田 幸弘
日立製作所中央研究所
-
本多 光晴
日立製作所デバイス開発センタ
-
宮内 昭浩
日立 日立研
-
島本 裕己
日立デバイスエンジニアリング
-
鎌田 俊英
産業技術総合研究所技術研究部門
-
鎌田 俊英
独立行政法人 産業技術総合研究所 光技術研究部門 有機半導体デバイスグループ
-
宮内 昭浩
(株)日立製作所中央研究所
著作論文
- レーザアニールによるSi 薄膜溶融, 結晶化過程の実時間観測と結晶の高品質化
- パルス変調CWレーザ結晶化(SELAX)法による高移動度低温ポリSi-TFT(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術)
- パルス変調CWレーザ結晶化(SELAX)法による高移動度低温ポリSi-TFT(有機ELとTFT(シリコン,化合物,有機)及びディスプレイ技術)
- システム・イン・ディスプレイに向けた擬似単結晶シリコンTFT技術 (特集 電子ディスプレイ「新技術」をいち早く掴む--有機ELディスプレイ,製造プロセス・材料の最新成果)
- Gate-Overlapped LDD構造による低温Poly-Si TFTの高信頼化技術
- ポリシリコンTFTのパルス電圧ストレスによる劣化機構
- パルス変調CWレーザ結晶化(SELAX)法による高移動度低温ポリSi-TFT(有機ELとTFT(シリコン,化合物,有機)及びディスプレイ技術)
- 5インチLCD駆動用塗布型高移動度TFTアレイの開発
- 擬似2層構造を有する高精度多結晶シリコン抵抗の提案と実験的検討(集積エレクトロニクス)
- 高精度多結晶シリコン抵抗設計式の検討
- 高濃度ボロンドープ・Siエピタキシャル成長技術を用いたソース/ドレイン積み上げ構造MOSFETの試作
- 高精度二層多結晶シリコン抵抗の開発(2)
- 高精度二層多結晶シリコン抵抗の開発(1)
- リンドープポリSiエミッタを用いた超高速Siバイポーラトランジスタ