高濃度ボロンドープ・Siエピタキシャル成長技術を用いたソース/ドレイン積み上げ構造MOSFETの試作
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概要
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近年, 高速CMOSの超並列プロセッサ, 光伝送システムへの応用が盛んに行われている。CMOSにおいてゲート遅延時間の短縮はスケーリング則に沿った微細化によって行われてきた。しかし, スケーリングによる高性能化は物理的限界から困難になりつつある。そこで今回, 低寄生容量化による高性能化を目的としてソース/ドレイン積み上げ構造pMOSを試作したので, その結果について報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06
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