HF処理基板表面への低温シリコンエピタキシャル成長とエピタキシャル層/シリコン基板の界面評価

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概要

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エピ成長の低温化を目的としHF処理によって不活性化したSi基板上への低温エピ成長を検討した。HF処理条件とエピ層中の積層欠陥密度との関係を調べた結果、5%近傍のHF水中に基板を浸漬した後、純水洗浄しない基板処理法がエピ成長には最適であることが分かった。次に、昇温雰囲気中の水分分圧とエピ成長との関係について調べた。その結果、580℃以上では成長温度が高いほど、また水分分圧が低いほどエピ成長しやすいことが分かった。また、低水分分圧下では550℃から500℃でエピ成長可能であることも分かった。更に、積層欠陥を有するエピ層とSi基板との界面の汚染状態を評価した結果、界面には厚さ約1.4nmの主に酸素から成る汚染物が離散的に存在することが分かった。
社団法人電子情報通信学会の論文
1993-04-22

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