シリコン低温エピタキシャル層の評価

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概要

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フッ酸処理によって水素ターミネーションしたシリコン基板上への、減圧CVD法による高品質低温エピ層の形成技術について検討した。エピ層とシリコン基板との界面を計測した結果、積層欠陥が発生した試料のエピ層, 基板界面近傍には、厚さ1.4nmの、主として酸化物からなる汚染物が離散的に存在し、汚染物が界面を被覆する割合は積層欠陥密度に依存した。また、580℃以上では成長温度が高いほど、また水分分圧が低いほどエピ成長しやすいこと、550℃から500℃でエピ成長可能であること、が分かった。エピ層表面のマイクロラフネスはジクロルシラン分圧に依存し、ジクロルシラン分圧を増加させることで、原子レベルで平坦な表面を形成できた。また、マイクロラスネスが悪化したエピ層中には酸素と塩素が検出された。
社団法人電子情報通信学会の論文
1994-11-24

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