菊池 俊之 | (株)日立国際電気

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概要

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関連著者

• 菊池 俊之

  (株)日立製作所デバイス開発センタ

• 菊池 俊之

  (株)日立国際電気

• 玉置 洋一

  (株)日立製作所デバイス開発センタ

• 芝 健夫

  (株)日立製作所中央研究所

• 島本 裕巳

  日立デバイス

• 島本 裕巳

  ルネサス北日本セミコンダクタ

• 橋本 尚

  (株)日立製作所 マイクロデバイス事業部

• 大西 和博

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• 大西 和博

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• 島本 裕己

  日立デバイスエンジニアリング

• 松木 武雄

  ルネサスエレクトロニクス(株)

• 伊藤 周

  ルネサスエレクトロニクス(株)

• 劉 紫園

  ルネサスエレクトロニクス(株)

• 小川 有人

  (株)日立国際電気

• 堀川 剛

  (独)産業技術総合研究所

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著作論文

• 擬似2層構造を有する高精度多結晶シリコン抵抗の提案と実験的検討(集積エレクトロニクス)
• 高精度二層多結晶シリコン抵抗の開発(2)
• 高精度二層多結晶シリコン抵抗の開発(1)
• C-11-2 SiONゲート絶縁膜形成後大気曝露の絶縁破壊特性への影響(C-11. シリコン材料・デバイス,一般セッション)

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