C-11-2 SiONゲート絶縁膜形成後大気曝露の絶縁破壊特性への影響(C-11. シリコン材料・デバイス,一般セッション)
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概要
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- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2012-08-28
著者
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菊池 俊之
(株)日立製作所デバイス開発センタ
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松木 武雄
ルネサスエレクトロニクス(株)
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伊藤 周
ルネサスエレクトロニクス(株)
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劉 紫園
ルネサスエレクトロニクス(株)
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小川 有人
(株)日立国際電気
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堀川 剛
(独)産業技術総合研究所
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菊池 俊之
(株)日立国際電気
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