島本 裕巳 | ルネサス北日本セミコンダクタ
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概要
関連著者
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島本 裕巳
ルネサス北日本セミコンダクタ
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鷲尾 勝由
(株)日立製作所中央研究所ulsi研究部
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島本 裕己
日立デバイスエンジニアリング
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鷲尾 勝由
株式会社日立製作所中央研究所
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島本 裕巳
日立デバイス
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鷲尾 勝由
(株)日立製作所 中央研究所
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大植 栄司
日立
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大植 栄司
(株)日立製作所中央研究所
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速水 礼子
日立製作所中央研究所
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小田 克矢
日立製作所
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小田 克矢
(株)日立製作所中央研究所
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増田 徹
(株)日立製作所中央研究所
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白水 信弘
株式会社日立製作所中央研究所
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大畠 賢一
日立デバイス
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大畠 賢一
(株)ルネサス北日本セミコンダクタ
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速水 礼子
(株)日立製作所中央研究所
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田邊 正倫
(株)ルネサス北日本セミコンダクタ
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田邊 正倫
(株)ルネサス北日本セミコンダク
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白水 信弘
(株)日立製作所中央研究所
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島本 裕己
日立デバイスエンジニアリング(株)
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橋本 尚
(株)日立製作所 マイクロデバイス事業部
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清田 幸弘
日立
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近藤 将夫
(株)日立製作所中央研究所
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原田 卓
(株)日立製作所デバイス開発センタ
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橋本 尚
日立製作所 デバイス開発センタ
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荒川 文彦
(株)日立デバイスエンジニアリング
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清田 幸弘
日立製作所中央研究所
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荒川 文彦
日立デバイスエンジニアリング株式会社武蔵野事業所
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田辺 正倫
日立デバイスエンジニアリング(株)
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鷲尾 勝由
日立製作所中央研究所
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荒川 文彦
日立デバイス
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児玉 彰弘
(株)ルネサス北日本セミコンダクタ 小平第2設計センタ
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三浦 真
日立製作所
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芝 健夫
(株)日立製作所中央研究所
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田邊 正倫
日立デバイスエンジニアリング株式会社武蔵野事業所
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有働 勉
日立超LSIシステムズ
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児玉 彰弘
日立デバイスエンジニアリング
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和田 真一郎
(株)日立製作所 マイクロデバイス事業部
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玉置 洋一
(株)日立製作所デバイス開発センタ
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和田 慎一郎
日立製作所 デバイス開発センタ
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菊池 俊之
(株)日立製作所デバイス開発センタ
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菊池 俊之
(株)日立国際電気
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尾内 享裕
(株)日立製作所 中央研究所
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鷲尾 勝由
日立
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鷲尾 勝由
日立中央研究所
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橋本 尚
日立・システム研
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冨成 達也
日立
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小結 薫
日立
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細江 英之
日立
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藤原 裕章
日立超L
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清田 幸弘
(株)日立製作所
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小田 克矢
日立製作所中央研究所
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細江 英之
(株)日立製作所 デバイス開発センタ
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尾内 享裕
日立 中研
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三浦 真
(株)日立製作所 中央研究所
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長嶋 敏夫
(株)日立製作所
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花沢 聡
(株)日立製作所
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工藤 正樹
(株)日立超LSIシステムズ
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武内 勇介
(株)日立製作所
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白水 信弘
株式会社日立製作所 中央研究所
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小山 明夫
(株)日立製作所デバイス開発センタ
-
小山 明夫
日立デバイス開発センタ
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増田 徹
株式会社日立製作所中央研究所
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大西 和博
(株)日立製作所中央研究所
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大西 和博
(株)日立製作所
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渡邊 圭紀
(株)日立製作所デバイス開発センタ
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和田 真一郎
日立
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野中 裕介
日立
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斎藤 朋広
日立
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笹原 響子
日立
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渡邊 圭紀
日立
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村田 文夫
日立超L
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新井 満
日立超LSIエンジニアリング
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大植 栄司
日立製作所中央研究所
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近藤 将夫
日立製作所中央研究所
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山口 修
法政大学工学部
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稲田 太郎
法政大学工学部
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長嶋 敏夫
(株)日立製作所, 家電研究所
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児玉 彰弘
(株)ルネサス北日本セミコンダクタ
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島本 裕巳
(株)ルネサス北日本セミコンダクタ 小平第2設計センタ
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和田 真一朗
日立
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徳永 和明
日立
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吉田 仁紀
日立
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久保 真紀
日立
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瀬戸 基司
日立超L
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島本 裕己
ルネサス北セミ
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花沢 聡
株式会社日立製作所デバイス開発センタ
-
工藤 正樹
株式会社目立超LSIシステムズ
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丹波 裕子
株式会社日立製作所デバイス開発センタ
-
武内 勇介
株式会社日立製作所デバイス開発センタ
-
長嶋 敏夫
株式会社日立製作所デジタルメディア開発本部
-
丹場 裕子
(株)日立製作所
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山口 修
法政大
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新井 満
日立超l
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増田 徹
株式会社日立製作所 中央研究所
-
有働 勉
日立超L
著作論文
- 高性能SiGe HBT/0.13μm CMOS混載化デバイス技術と40Gb/s光通信用LSIへの応用
- 擬似2層構造を有する高精度多結晶シリコン抵抗の提案と実験的検討(集積エレクトロニクス)
- 高精度多結晶シリコン抵抗設計式の検討
- 高精度二層多結晶シリコン抵抗の開発(2)
- 高精度二層多結晶シリコン抵抗の開発(1)
- C-10-15 SiGe HBTを用いた50Gb/s 4:1 MUX. 48Gb/s 1:4 DEMUX ICとICモジュールの開発
- 超高速自己整合構造SiGe HBTと光伝送用ICへの応用
- 高周波・高速用途向け自己整合構造SiGe HBT/CMOS技術
- SiGe HBTを用いた40Gb/s光伝送用高利得プリアンプICの開発
- SiGe HBTを用いた40Gb/s光伝送用高利得プリアンプICの開発
- 超高速200-GHz SiGe:C HBT技術
- HC1フリー選択エピタキシャル成長によるSiGe HBT(III族窒化物研究の最前線)
- HClフリー選択エピタキシャル成長によるSiGe HBT(III族窒化物研究の最前線)
- HC1フリー選択エピタキシャル成長によるSiGe HBT(III族窒化物研究の最前線)
- SiGe選択エピタキシャル成長前の基板表面清浄化方法がHBT特性に与える影響の検討
- 超高速光伝送用20GHz 49dBΩベース接地トランジスタ入力段付加型Siバイポーラ前置増幅器の試作
- 高制御Si/SiGeエピタキシャル成長による超低消費電力SiGe HBTの実現
- C-11-1 リングエミッタトランジスタTEGを用いた自己整合構造SiGe HBTのベース抵抗評価(C-11.シリコン材料・デバイス,一般講演)
- C-11-1 超高速 SiGe HBT におけるエミッタ・アスペクト比の最適化検討
- SiGeHBT/CMOSを用いた5.8GHzETC用シングルチップトランシーバIC
- C-12-39 SiGe HBT/CMOSを用いたETC用5.8GHzワンチップトランシーバIC
- SC-7-2 超高速SiGe HBT技術と40Gb/s光伝送用ICへの応用
- C-12-33 SiGe HBTを用いた40Gb/s光伝送用アナログIC
- 40Gb/s光伝送用SiGe HBT前置増幅器の試作
- 分割モデルによる自己整合型ハイボーラトランジスタのベース抵抗の検討
- C-12-23 ベース接地トランジスタ入力型プリアンプの高精度設計の検討
- 自己整合選択成長SiGe HBT構造の最適化
- 自己整合選択成長SiGe HBT構造の最適化
- 自己整合選択成長SiGe HBT構造の最適化