有働 勉 | 日立超LSIシステムズ

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概要

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• 同名の論文著者
• 日立超LSIシステムズの論文著者

関連著者

• 橋本 尚

  日立製作所 デバイス開発センタ

• 鷲尾 勝由

  株式会社日立製作所中央研究所

• 鷲尾 勝由

  (株)日立製作所中央研究所ulsi研究部

• 橋本 尚

  (株)日立製作所 マイクロデバイス事業部

• 有働 勉

  日立超LSIシステムズ

• 島本 裕巳

  ルネサス北日本セミコンダクタ

• 島本 裕己

  日立デバイスエンジニアリング

• 清田 幸弘

  日立

• 島本 裕巳

  日立デバイス

• 清田 幸弘

  日立製作所中央研究所

• 児玉 彰弘

  日立デバイスエンジニアリング

• 速水 礼子

  日立製作所中央研究所

• 鷲尾 勝由

  日立製作所中央研究所

• 児玉 彰弘

  (株)ルネサス北日本セミコンダクタ 小平第2設計センタ

• 和田 真一郎

  (株)日立製作所 マイクロデバイス事業部

• 三浦 真

  日立製作所

• 和田 慎一郎

  日立製作所 デバイス開発センタ

• 鷲尾 勝由

  日立

• 鷲尾 勝由

  日立中央研究所

• 橋本 尚

  日立・システム研

• 冨成 達也

  日立

• 小結 薫

  日立

• 細江 英之

  日立

• 藤原 裕章

  日立超L

• 新井 満

  日立超LSIエンジニアリング

• 細江 英之

  (株)日立製作所 デバイス開発センタ

• 和田 真一朗

  日立

• 徳永 和明

  日立

• 吉田 仁紀

  日立

• 久保 真紀

  日立

• 瀬戸 基司

  日立超L

• 島本 裕己

  ルネサス北セミ

• 新井 満

  日立超l

• 有働 勉

  日立超L

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著作論文

• 超高速200-GHz SiGe:C HBT技術
• HC1フリー選択エピタキシャル成長によるSiGe HBT(III族窒化物研究の最前線)
• HClフリー選択エピタキシャル成長によるSiGe HBT(III族窒化物研究の最前線)
• HC1フリー選択エピタキシャル成長によるSiGe HBT(III族窒化物研究の最前線)

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