児玉 彰弘 | (株)ルネサス北日本セミコンダクタ 小平第2設計センタ

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関連著者

• 鷲尾 勝由

  株式会社日立製作所中央研究所

• 鷲尾 勝由

  (株)日立製作所中央研究所ulsi研究部

• 児玉 彰弘

  (株)ルネサス北日本セミコンダクタ 小平第2設計センタ

• 島本 裕巳

  ルネサス北日本セミコンダクタ

• 島本 裕己

  日立デバイスエンジニアリング

• 島本 裕巳

  日立デバイス

• 児玉 彰弘

  日立デバイスエンジニアリング

• 鷲尾 勝由

  (株)日立製作所 中央研究所

• 橋本 尚

  日立製作所 デバイス開発センタ

• 橋本 尚

  (株)日立製作所 マイクロデバイス事業部

• 清田 幸弘

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• 有働 勉

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  日立製作所中央研究所

• 鷲尾 勝由

  日立製作所中央研究所

• 三浦 真

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• 児玉 彰弘

  (株)ルネサス北日本セミコンダクタ

• 三浦 真

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• 中村 宝弘

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著作論文

• HC1フリー選択エピタキシャル成長によるSiGe HBT(III族窒化物研究の最前線)
• HClフリー選択エピタキシャル成長によるSiGe HBT(III族窒化物研究の最前線)
• HC1フリー選択エピタキシャル成長によるSiGe HBT(III族窒化物研究の最前線)
• C-2-48 オンウェハスパイラルインダクタ等価回路モデルの検討(C-2. マイクロ波B(受動デバイス), エレクトロニクス1)
• C-11-1 リングエミッタトランジスタTEGを用いた自己整合構造SiGe HBTのベース抵抗評価(C-11.シリコン材料・デバイス,一般講演)
• C-11-1 超高速 SiGe HBT におけるエミッタ・アスペクト比の最適化検討

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