増田 徹 | 株式会社日立製作所中央研究所
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概要
関連著者
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増田 徹
株式会社日立製作所中央研究所
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増田 徹
株式会社日立製作所 中央研究所
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鷲尾 勝由
株式会社日立製作所中央研究所
-
鷲尾 勝由
(株)日立製作所中央研究所ulsi研究部
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白水 信弘
株式会社日立製作所中央研究所
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白水 信弘
株式会社日立製作所 中央研究所
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鷲尾 勝由
(株)日立製作所 中央研究所
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増田 徹
(株)日立製作所中央研究所
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中村 宝弘
株式会社日立製作所中央研究所
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中村 宝弘
株式会社日立製作所 中央研究所
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白水 信弘
(株)日立製作所中央研究所
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大畠 賢一
(株)ルネサス北日本セミコンダクタ
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原田 卓
(株)日立製作所デバイス開発センタ
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中村 宝弘
(株)日立製作所中央研究所
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渡邊 圭紀
(株)日立製作所デバイス開発センタ
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菊地 広
(株)日立製作所デバイス開発センタ
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渡邊 圭紀
(株)日立製作所
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菊地 広
(株)日立製作所マイクロデバイス事業部
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中村 明博
株式会社日立製作所中央研究所
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田邊 正倫
(株)ルネサス北日本セミコンダクタ
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田邊 正倫
(株)ルネサス北日本セミコンダク
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上妻 央
株式会社日立製作所中央研究所
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中村 明博
株式会社日立製作所 中央研究所
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大西 正己
株式会社日立製作所中央研究所
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渡邊 圭紀
(株)目立製作所デバイス開発センタ
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原田 卓
(株)目立製作所デバイス開発センタ
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菊地 広
(株)目立製作所デバイス開発センタ
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大西 正己
日立製作所中央研究所
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和田 真一郎
(株)日立製作所 マイクロデバイス事業部
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和田 慎一郎
日立製作所 デバイス開発センタ
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橋本 尚
(株)日立製作所 マイクロデバイス事業部
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大畠 賢一
日立デバイス
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古後 健治
日立製作所中央研究所
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近藤 博司
(株)日立製作所 中央研究所
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島本 裕巳
日立デバイス
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近藤 博司
株式会社日立製作所
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Kozhuharov Rumen
Chalmers University Of Technology
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児玉 彰宏
(株)ルネサス北日本セミコンダクタ 小平第二設計センタ
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児玉 彰弘
(株)ルネサス北日本セミコンダクタ
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島本 裕巳
ルネサス北日本セミコンダクタ
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長嶋 敏夫
(株)日立製作所
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花沢 聡
株式会社日立製作所デバイス開発センタ
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工藤 正樹
株式会社目立超LSIシステムズ
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丹波 裕子
株式会社日立製作所デバイス開発センタ
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武内 勇介
株式会社日立製作所デバイス開発センタ
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長嶋 敏夫
株式会社日立製作所デジタルメディア開発本部
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花沢 聡
(株)日立製作所
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工藤 正樹
(株)日立超LSIシステムズ
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武内 勇介
(株)日立製作所
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上妻 央
日立製作所中央研究所
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増田 徹
日立製作所中央研究所
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古後 健治
(株)日立製作所 中央研究所システムLSI研究部
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島本 裕己
日立デバイスエンジニアリング
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児玉 彰弘
(株)ルネサス北日本セミコンダクタ 小平第2設計センタ
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加藤 かおる
株式会社日立製作所中央研究所
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古後 健二
株式会社日立製作所中央研究所
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Landen Lars
Chalmers University Of Technology
-
Lowenmark Vesa
Chalmers University of Technology
-
Zirath Herbert
Chalmers University of Technology
著作論文
- 24GHz 1V動作擬似縦積み型ミキサ回路(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- C-12-36 SiGe HBTを用いた43Gb/s 16:1MUX用低ジッタ出力回路の設計(C-12.集積回路C(アナログ))
- SiGe HBTを用いた43Gb/s光伝送システム16:1MUX ICモジュール向け低ジッタ出力回路の設計
- SiGe HBTを用いた43 Gb/s光伝送システム16:1MUX ICモジュール向け低ジッタ出力回路の設計(ミリ波デバイス・回路・システム応用一般)
- SiGe HBTを用いた43 Gb/s光伝送システム16:1MUX ICモジュール向け低ジッタ出力回路の設計(ミリ波デバイス・回路・システム応用一般)
- SiGe HBTを用いた43Gb/s光伝送システム16 : 1MUXICモジュール向け低ジッタ出力回路の設計
- C-12-46 LTE-A対応トランシーバ受信方式の検討(無線通信,C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-45 擬似縦積および段間結合トランスを用いた24GHz帯低電力受信ICの試作(無線通信,C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-1 K帯向け低電力擬似縦積型ミキサの線形性向上の検討(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-2-6 20GHz帯1V動作VCOと低電力ミラー周波数分周器の開発(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 24GHz帯動作可能な高イメージ抑圧低雑音増幅回路の構成(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
- 24GHz 1V動作擬似縦積み型ミキサ回路
- C-12-39 周辺グランドパターンを考慮した高精度インダクタモデル(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
- C-12-32 再利用トランスフォーマ整合回路を用いた27GHz SiGe VCO(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
- C-12-24 誘導電流制御可変インダクタを用いた4.5 GHz VCO(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
- C-2-48 オンウェハスパイラルインダクタ等価回路モデルの検討(C-2. マイクロ波B(受動デバイス), エレクトロニクス1)
- C-12-34 短距離車載レーダ向け24GHz SiGe HBT低雑音増幅器の試作(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
- C-12-33 3-10 GHzフルバンドUWB無線通信用低雑音増幅器(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
- SiGeHBT/CMOSを用いた5.8GHzETC用シングルチップトランシーバIC
- C-2-14 負荷可変型高効率電力増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-26 GaAs pHEMT 7-28 GHz 周波数 4 逓倍回路の試作
- C-12-26 LTE基地局向けIM3キャンセル型受信機の検討(C-12.集積回路,一般セッション)
- トランスフォーマ段間結合技術を用いた低電力K帯トランシーバICの試作
- トランスフォーマ段間結合技術を用いた低電力K帯トランシーバICの試作